第二季 DRAM 營收季增 11.3% 再創新高,然價格高點已近

作者 | 發布日期 2018 年 08 月 13 日 14:05 | 分類 Samsung , 記憶體 , 零組件 line share follow us in feedly line share
第二季 DRAM 營收季增 11.3% 再創新高,然價格高點已近


根據 TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)調查顯示,2018 年第二季由於供給吃緊情況延續,帶動整體 DRAM 報價走揚,DRAM 總營收較上季成長 11.3%,再創新高。除了繪圖用記憶體(graphic DRAM)仍受惠於虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動價格有 15% 顯著上漲外,其餘各應用別的記憶體季漲幅約在 3% 左右。

展望第三季價格走勢,DRAMeXchange 指出,PC-OEM 廠已陸續在 7 月份議定合約價格。就一線大廠訂價來看,均價已來到 34.5 美元,較前一季上漲約 1.5%,漲幅已大幅收斂。從市場面觀察,在需求端成長有限、供給端產能集中在下半年開出,加上現貨價持續走跌的趨勢下,預估第四季合約價恐難再有顯著漲幅,亦顯示整體 DRAM 價格的峰值(peak)已經到來。

觀察全球 DRAM 大廠營收表現,三星穩坐產業龍頭,營收再創歷史新高,來到 112.1 億美元,季增 8.2%;SK 海力士受惠於位元成長顯著,營收較前季大幅成長 19.5%,達 76.9 億美元,亦幫助 SK 海力士於第二季奪回部分市占。兩大韓廠第二季營收市占率分別為 43.6% 與 29.9%,合計約 73.5%。

美光集團仍舊維持第三,亦持續扮演價格領先者(price leader),報價上漲幅度最高。然而因先前氮氣事件,美光第二季位元出貨僅與前一季相當,營收季增 6.3% 至 55.4 億美元,增幅相對較小,市占率較前一季下滑 1 個百分點,來到 21.6%。

觀察原廠獲利能力,三星的漲價幅度在三大廠中最小,除了因第一季基期較高,亦顯示先前中國反壟斷調查無形中已帶給三星壓力。此外,因其 1Ynm 目前僅在客戶驗證,可能要到第三季中旬才能放量,因此第二季營業利益率維持在 69%。反觀另外兩廠,持續受到價格上漲與製程微縮所帶來的成本效益,SK 海力士營業利益率從第一季的 61% 提升至 63%,美光營業利益率則從 58% 拉升至 60%,為首次三大原廠營業利益率皆突破 6 成水準。

然而,展望下半年,除了供給端產能逐漸開出、各廠 1X / 1Ynm 比重逐步提高外,三星報價模式也轉趨保守,皆暗示報價上漲的難度增加。此外,目前三大廠生產 DRAM 的平均毛利率已突破 7 成,已帶給買方巨大的 BOM cost 壓力,亦顯示出原廠的獲利能力可能已近高點。

由技術面觀察,三星今年除了維持 1Xnm 製程高產出比重外,部分 Line 17 擴產以及即將投入的平澤廠 2 樓 DRAM 產能,將繼續往下一代 1Ynm 製程轉進。隨著平澤廠產能擴增,預期 1X + 1Ynm 產出比重在今年底合計將達 70%,並於 2019 年持續提升。SK 海力士已於去年底導入 1Xnm 的生產,然而進入 1Xnm 世代製程難度高,SK 海力士目前仍致力於提升良率,擴廠計畫則維持不變,中國無錫新建的第二座 12 吋廠將於今年底前完工,2019 上半年開始貢獻產出。而美光方面,台灣美光記憶體(原瑞晶)1Xnm 已完成 100% 轉換,並將於明年直接轉往 1Znm,而台灣美光晶圓科技(原華亞科)則於第二季開始進行 20nm往 1 Xnm 的轉換,預計今年底將可望有半數產能轉往 1Xnm 生產,並於明年上半年全數導入。

台系廠商部分,南亞科第二季營收季增高達 28.6%,除了歸功於 20nm 帶來明顯的位元成長和價格持續走揚外,第二季開始出清第一季的 DDR3 高庫存亦是一大重點。20nm 的成本效益更帶動營業利益率來到 46.8%,較上季成長 2.5 個百分點。然而,由於 DRAM 報價上漲不易,加上要開始攤提擴廠的折舊費用,南亞科未來的獲利能力恐受壓縮。

力晶科技方面,由於替晶豪科、愛普等 IC 設計業者代工的比重提高,力晶本身 DRAM 營收較上季下滑 13.5%;華邦方面 DRAM 營收季成長 8.7%,主要受惠於 38nm 比重持續提高。

(首圖來源:shutterstock)