供需失衡態勢難止,NAND Flash 供應商 2019 年資本支出年減 2%

作者 | 發布日期 2019 年 01 月 10 日 14:52 | 分類 記憶體 , 零組件 follow us in feedly


TrendForce 記憶體儲存研究(DRAMeXchange)指出,NAND Flash 市場經歷 2018 年全年供過於求,2019 年在筆記型電腦、智慧型手機、伺服器等主要需求表現難見起色下,預計產能過剩難解,因而使得供應商進一步降低資本支出以放緩擴產進程,避免位元成長過多導致過剩狀況加劇。

根據 DRAMeXchange 調查指出,2018 年因供過於求難以遏制,韓系供應商帶頭降低資本支出,NAND Flash 總體資本支出下調近 10%,但仍無法翻轉供需失衡情形,2019 年轉為美系廠商減少資本支出,使得 NAND Flash 整體資本支出較 2018 年持續下滑約 2%,總支出規模約為 220 億美元。

受到供應商調整擴產計畫影響,儘管各供應商已於 2018 年第四季起量產 92 / 96 層 3D NAND,但直至 2019 年底將僅占約 32% 位元產出,而 64 / 72 層的產出占比仍有逾 50%,供應商放緩製程的推進,造成 2019 年 NAND Flash 位元成長將僅約 38%,相比 2018 年逾 45% 水準明顯下降。

觀察各供應商產能調整,DRAMeXchange 指出,三星持續減產 2D NAND 產能,加上 92 層製程消耗更多的廠房空間,2019 年運轉產能將較2018年底下調,位元產出成長率降至約 35%,由於三星全球市占率約三成,三星位元產出成長率的放緩對全球產出成長影響較大;SK 海力士、東芝/威騰分別有 M15 以及 Fab 6 的新廠擴建,但同樣受到減產計畫或轉產舊製程的影響,產出年成長率有機會低於原先預期,SK 海力士和東芝/威騰原先位元產出成長率預估值分別約為 50% 與 40% 水準,但我們預期會各自下修到 50% 以下,以及約 35% 的水位,以反映今年市場需求的急凍;美光的新加坡新廠則要等到 2020 年才正式量產,因此全年產能幾乎維持不變;英特爾則除了填滿大連廠產能,並無宣布其他擴產規劃,美光與英特爾陣營 2019 年整體位元產出成長接近 40% 水準,相較 2018 年 45% 以上的成長幅度明顯收斂。

從 2019 年 NAND Flash 價格走勢來看,DRAMeXchange 指出,由於原廠在各產品線的合約價報價跌幅,皆明顯高於我們原先的預期,顯示原廠正面臨龐大的庫存壓力。因此,NAND Flash 2019 年第一季市場均價季度跌幅度可能從原先估計的 10%,一舉提高至 20% 水準,第二季報價可能將續跌將近 15%,下半年雖有旺季需求挹注,跌幅可望略微收斂,但各季價格跌幅仍將維持在 10% 左右水準,端看原廠是否能再進一步降低自身產出水位。綜上所述,DRAMeXchange 認為,今年旺季若仍無足夠需求動能支撐,NAND Flash 市場均價跌幅則可能擴大至 50% 水準,近乎腰斬。

(首圖來源:shutterstock)