TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）表示，紫光集團於 8 月 27 日宣布與重慶市政府簽署合作協定，並在重慶投資 DRAM 研發中心與工廠，廠房預定 2019 年年底動工，並於 2021 年完工。這顯示在福建晉華遭到美國禁售之後，以及在中美貿易摩擦影響下，中國加速自主開發 DRAM 產品的進程。
紫光集團已於 6 月 30 日公告成立 DRAM 事業群，由曾任工信部電子信息司司長的刁石京出任董事長，執行長則由高啟全擔任，代表紫光集團與中國政府的合作進一步深化，也更加確立中國自主開發半導體的發展方向。
根據 TrendForce 推估，紫光 DRAM 事業群首先要面對的挑戰將是相關製程技術的開發。當時的福建晉華，姑且不論美國的禁售，先前在技術上已與聯電密切合作，讓製程與產品都按照原訂計畫進行；而合肥長鑫也與奇夢達有技術交互授權，有助產品開發。紫光集團方面，旗下 IC 設計公司紫光國微具有 DRAM 相關產品的研發實力，但製程開發上至今仍未有合作對象，未來如果以自主開發的方向進行，至少需要 3-5 年的研發時間，代表就算 2021 年工廠完工甚至進入小批量投片，然而達到一定的經濟規模仍需要更長的時間。
紫光集團目前較為欠缺的製程研發能力，預計可望藉由其執行長高啟全的業界人脈進行補強，而高啟全在紫光的 5 年任期即將在明年屆滿，是否會對紫光的 DRAM 發展產生影響，也須持續關注。
TrendForce 指出，紫光集團並非首次計劃進軍 DRAM 產業，早在 2014 年就曾表達出研發 DRAM 的決心，但當時為了平衡產業與地方發展，且紫光已經確定 NAND 發展路線，後續 DRAM 的開發計畫因而停擺。此次紫光集團回歸 DRAM 開發，主要是因為福建晉華在去年 11 月遭美國頒布禁售令後，量產與未來研發之路的不確定性因素仍高，加上合肥長鑫雖然預計今年年底導入量產，但整體放量最快也要到 2020 年年底。對於中國而言，僅有一家正在進行的 DRAM 廠是不足以實現自主開發的目標，尤其又面臨中美貿易摩擦的大環境因素，亦讓紫光集團重新出線進行 DRAM 的開發與生產。
（首圖來源：紫光）
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