SK 海力士量產 128 層 4D NAND Flash,終端產品 2020 年下半亮相

作者 | 發布日期 2019 年 11 月 21 日 16:15 | 分類 儲存設備 , 手機 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


當前隨著資料量大增,使得當前主流的固態硬碟 (SSD) 容量也必須越來越大,以應付儲存大量數據的需求。日前、南韓記憶體大廠 SK 海力士就正式宣布量產 128 層堆疊的 4D NAND Flash,正式將 SSD 的容量進行大幅度的升級。

根據外電報導,SK 海力士早就在 2019 年 6 月份就宣布正式量產 128 層堆疊的 4D NAND Flash,成為全球首家量產 128 層 NAND Flash 的記憶體廠商,不過 SK 海力士的這個 4D NAND Flash 基本上其實也是 3D NAND Flash 架構,只是把過去 3D NAND Flash Cell 單元的 PUC(Peri Under Cell)電路,從之前的位置遷移到底部,所以稱之為 4D NAND Flash。因此,本質上其實還是 3D NAND Flash,取名 4D NAND Flash 似乎只是為了比較好行銷。

而當前 SK 海力士所宣布,將在這個月正式向客戶交貨的 128 層堆疊 4D NAND Flash 的工程樣品,全部都是 TB 容量等級的高密度解決方案,包括手機所用的 1TB UFS 3.1 4D NAND Flash,消費等級的 2TB SSD、以及企業級的 16TB E1.L 規格 SSD。SK 海力士宣稱,其新推出的 128 層堆疊 4D NAND Flash 的單顆容量為 1TB 大小。所以,未來可以做到很大的容量,是業界儲存密度最高的 TLC NAND Flash。

報導表示,現在 1TB 儲存空間的手機,通常需要使用兩顆 512GB 的 UFS NAND Flash,在 SK 海力士的 1TB UFS 3.1 4D NAND Flash 正式出貨後,手機使用 NAND Flash 的數量就會減少一半,節省更多的手機主機板空間。再加上 SK 海力士這顆 1TB 的 4D NAND Flash 封裝厚度僅 1mm,是未來超薄 5G 手機的絕佳選擇,預計搭配這款 4D NAND Flash 的手機有望在 2020 年下半年量產,而搭載 128 層堆疊 4D NAND Flash 的 2TB 消費級 SSD,以及 16TB 的 E1.L 規格的企業級 SSD 也預計會在 2020 年下半年量產。

(首圖來源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)