三星 512GB eUFS 3.1 投產,傳 Galaxy Note 20 率先採用

作者 | 發布日期 2020 年 03 月 20 日 7:45 | 分類 Samsung , 手機 , 晶片 follow us in feedly


智慧手機的運算能力越來越高,下載速度也越來越快,儲存晶片的讀寫速度亦需要配合,才能發揮每個環節的最高效能。日前三星(Samsung)就宣布開始大規模投產 512GB 的 eUFS 3.1 儲存晶片,它的特點就是其讀寫速度較上一代更快。

三星表示 512GB 的 eUFS 3.1 儲存晶片,連續寫入速度將超過 1,200MB/s,比起現在相同容量 eUFS 3.0 儲存晶片的 400MB/s,速度快達 3 倍。同時 512GB  eUFS 3.1 儲存晶片的隨機讀寫表現為 100,000 / 70,000 IOPS,亦較 eUFS 3.0 的產品快 60%。三星指新儲存晶片只需 90 秒就能完成 100GB 的檔案傳輸,舊款要 4 分鐘以上,特別適合用於儲存 8K 高解析度影片。

有消息指三星可能會將 512GB 的 eUFS 3.1 儲存晶片,率先應用於下半年的旗艦手機 Galaxy Note 20 系列;之後三星還會陸續生產和供應 128GB 和 256GB 的 eUFS 3.1 儲存晶片。

(本文由 Unwire HK 授權轉載;首圖來源:三星