聯電認竊美光機密罪,以 6 千萬美元及緩刑期間與美司法部合作達和解協議

作者 | 發布日期 2020 年 10 月 29 日 9:42 | 分類 晶圓 , 晶片 , 記憶體 Telegram share ! follow us in feedly


繼聯電於 10 月 22 日公告與美國司法部營業秘密刑事案件進度後,美國司法部已在美國時間 10 月 28 日發正式新聞稿指出,聯電已對竊取美光商業機密一案認罪,並遭處以 6 千萬美元罰金。聯電也隨即在今日盤前公告與美國司法部就營業秘密案達成和解協議。

聯電指出,在和解協議中,美國司法部同意撤銷對聯電原來包括共謀實施經濟間諜活動、共謀竊取多項美光營業秘密和專利有關等指控。聯電承認侵害一項營業秘密,同意支付美國政府 6 千萬美元的罰金,並在 3 年自主管理的緩刑期間內與司法部合作。

▲ 聯電 29 日最新公告。(Source:公開資訊觀測站)

此案是源自於 2016 年 5 月,聯電經由經濟部投審會核准,與福建晉華簽署了合作協議。依據該協議,聯電與晉華共同開發兩代動態隨機存取記憶體 (DRAM) 製程。協議中所開發的 DRAM 製程並非最新技術,而是與 2012 年已用於量產技術相似的舊技術。

聯電在公告中指出,為了與福建晉華的 DRAM 合作案公開招募工程師,不允許任何員工攜帶前公司資訊到聯電,且針對自身與他人營業秘密已有多項保護與防免之政策與措施。然而,兩位參與 DRAM 合作案的台灣美光前員工,卻違反與聯電簽訂的僱傭合約與聲明書,攜帶前公司資訊進入聯電並於工作中參考。

聯電表示,當公司知悉上述情事時,立即採取必要措施以確認開發的製程技術不包含任何未經授權的資訊。合作協議中所提及的第一代 DRAM 製程技術在 2018 年 9 月依協議移轉給晉華。聯電從無意圖、也未移轉任何未經授權的資訊給晉華。

然而,依據美國營業秘密保護法,即使員工在公司高層不知情之情況下違反公司政策,公司對於員工行為仍須負法律責任。因此,聯電在和解協議中承認並接受因員工觸法所造成的責任。

聯電董事長洪嘉聰也對此和解案表示,聯電做為引領台灣半導體業發展的公司之一,持續研發半導體及其他技術已 40 年,在全球半導體供應鏈中扮演著舉足輕重的角色。聯電超過三分之一的營收來自美國,與美國客戶及供應商都有長久的業務關係。最近,聯電集團更與美國公司合作,生產對抗新冠肺炎所需之呼吸器中的半導體晶片。

數年前,聯電獲得政府事前核准,以自身專業知識及經驗以及豐富的研發資源,參與 DRAM 合作開發案。當聯電高層發現員工的不當行為時,立即採取措施,包含展開內部調查,並防止任何未經授權的資訊遭使用或外流。有鑑於此,聯電將繼續落實並加強有關營業秘密之保護與防免的政策與措施,包括機密資訊的監管機制、智財權保護的教育訓練與稽核等,以確保日常營運符合公司智財權及資安保護政策。

洪嘉聰指出,聯電很欣慰與美國政府達成協議,未來公司亦將持續在各領域提供具有競爭力的產品及服務。

(首圖來源:聯電)

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