傳三星擬砸 2,800 億元德州設廠,以迎頭趕上台積電

作者 | 發布日期 2021 年 01 月 22 日 23:01 | 分類 Samsung , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


彭博披露,南韓三星電子(Samsung Electronics)考慮斥資逾 100 億美元(約新台幣 2,800 億元)在美國興建最先進邏輯晶片廠,盼拿下更多美國訂單,及迎頭趕上對手台積電。

彭博引述消息人士報導,全球最大記憶體晶片和智慧型手機製造商三星電子目前正討論在德州奧斯汀(Austin)設廠,未來將能夠生產 3 奈米先進製程晶片。三星投資計畫目前還在初步階段,可能還會有變化。

這座新廠目前目標是今年動工,明年起安裝主要設備,最早 2023 年開始生產。投資金額可能有變,但從計畫來看,投資規模至少 100 億美元。

由於美國政府齊心協力對抗中國經濟勢力崛起,以及吸引一些過去數10年將重心轉向亞洲的先進製造業者返國,三星電子利用情勢大力在美投資。美方希望這類回流的製造基地可以帶動地方商機,同時支持美國產業和晶片設計業。

另一方面,美國半導體業巨擘英特爾(Intel)的先進晶片製程不斷遇阻,未來至少有部分晶片生產恐得仰賴台積電和三星,凸顯了亞洲晶片業巨擘近年來突飛猛進的發展。

彭博引述未具名消息人士表示,三星計畫中的新廠將是他們在美國首座採用極紫外光(EUV)微影製程的晶片廠。極紫外光是下一代晶片標準製程。

三星電子在彭博詢問美國設廠消息時,以電郵回覆表示,公司尚未做成決定。

南韓券商 HMC Securities 資深副總裁葛瑞格‧盧(Greg Roh,譯音)表示:「三星若真要實現在 2030 年以前成為頂尖晶片製造商的目標,就必須在美國大力投資,以迎頭趕上台積電。」

「台積電的亞利桑那州廠很可能持續朝 3 奈米製程邁進,三星的廠也可能一樣。目前一大挑戰是確保取得極紫外光製程設備,因為海力士(Hynix)和美光(Micron)也想採購這些設備。」

(譯者:劉淑琴;首圖來源:Flickr/DennisM2 CC BY 2.0)

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