供不應求狀態延續,2 月 specialty DRAM 主流容量月均價漲近 7%

作者 | 發布日期 2021 年 03 月 09 日 14:15 | 分類 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


根據 TrendForce 調查顯示,由於目前三大原廠產能吃緊,DRAM 市場仍處供不應求情況,整體市況已正式進入上漲週期,原廠看準機會大幅調升 specialty DRAM 月報價,帶動部分顆粒單月價格漲幅逼近雙位數;其中以越小容量、越利基的產品漲幅最大。以 2 月合約價來看,DDR2 及 DDR3 的漲幅仍高;DDR4 則受到 DDR3 的追價而持續上揚,目前在 specialty DRAM 中仍屬最大宗應用的 DDR3 4Gb,其顆粒均價單月漲幅約 6.8%。

TrendForce 進一步表示,長期由台廠主導的 DDR3 2Gb 嚴重缺貨的情況持續,有價無量已成該產品常態,而追價者成為造成市場高低價價差擴大的主因,本月均價漲幅近 9%。DDR4 4Gb 受到 DDR3 4Gb 的上揚所迫,三星(Samsung)本月價格明顯拉升,促使低價及均價成長約 6%;DDR4 8Gb 則隨著主流 server 與 PC 走勢而上,漲幅約 4%。必須說明的是,此為因應月合約所做的價格調整,以反應當下市場狀況,但若細究部分 tier-one 客戶採取季度合約議價(quarterly lock-in deal)者,其整季價格則不受此月價格影響。

三大原廠 DDR3 產出仍緩步下滑
台廠彈性調配產能求獲利最大化

在目前 specialty DRAM 市況火熱的情況下,DDR3 的獲利水平逐漸高過 DDR4 及邏輯 IC 產品,也帶動供應商的策略開始有所調整。韓廠方面,三星(Samsung)規劃將 Line 13 持續轉換至 CMOS Image Sensor 的長期策略不變,然受到近期價格強勁上漲影響,其稍有縮減原先規劃的產能進度。SK 海力士(SK Hynix)亦採相同策略,舊廠 M10 於去年底調降產能後,2021 年基本上都維持在相似水位。隨著最先進的 1Z 及 1 alpha 奈米良率有所拉升,美光(Micron)將逐步增加先進製程投片比重,因此部分 20 奈米及更成熟的製程礙於台灣廠區空間有限,未來會慢慢挪往位於美國的 Fab 6。整體而言,三大原廠的 DDR3 產出仍持續下滑,然下滑速度較原先預期趨緩。

台廠方面,南亞科(Nanya Tech)目前已將部分 20 及 30 奈米的 DDR4 投片轉換回 DDR3;華邦(Winbond)近年重心皆在 Flash 業務,DRAM 產能在高雄路竹廠完工前都將受到限制,因此該公司選擇重點支持 DDR2 及 DDR3 1/2Gb 小容量產品,也因華邦在該領域擁有相對更高的市占率,掌握更多定價優勢。力積電(PSMC)先前主要鎖定在邏輯 IC 代工,但隨著 DDR3 代工價顯著上揚,將轉移部份產能至 DRAM。整體而言,未來三大台廠都將依據毛利高低於各產品間彈性調配產能。然而,TrendForce 認為,即便所有供應商加以因應,此波 specialty DRAM 供不應求的態勢至少延續至今年上半年,後續價格漲幅將視各原廠產能調整狀況而定。

(首圖來源:shutterstock)