為縮小 5G 基地台射頻單元尺寸、減輕重量，並提升效能，恩智浦半導體（NXP）7 日宣布將整合氮化鎵（GaN）技術至旗下多晶片模組平台；而應用於 5G 基礎設施的恩智浦多晶片模組中的氮化鎵效能可將效率提高 8%，實現高效能網路。
恩智浦表示，降低能源消耗（Energy consumption）為電信基礎設施的主要目標之一，其中每一點效率都至關重要；而在多晶片模組中使用氮化鎵可在 2.6GHz 頻率下將產品組合效率提高至 52%，比上一代模組高出 8%。透過在單個裝置中採用專利組合 LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）和氮化鎵技術，進而提高效能，可提供 400MHz 的瞬時頻寬，僅用一個功率放大器即可完成寬頻射頻設計。
據悉，結合氮化鎵的全新 5G 多晶片模組將使射頻開發人員減少無線電單元的尺寸和重量，幫助行動網路營運商降低在蜂窩式基地台和屋頂部署 5G 的成本。不僅如此，在單一封裝的模組中，還整合了多級（multi-stage）傳輸鏈（transmit chain）、50 歐姆（ohm）輸入/輸出匹配網路和 Doherty 設計；並使其最新 SiGe 技術添加偏壓控制，無需再使用單獨的模擬控制 IC，即可對功率放大器效能提供更嚴密的監控和最佳化。
恩智浦半導體執行副總裁暨無線電功率業務部總經理 Paul Hart 指出，恩智浦開發了專用於 5G 基礎設施的獨特技術工具箱（toolbox），包括專有的 LDMOS、氮化鎵和 SiGe 以及先進封裝和射頻設計 IP，可能夠運用每個元件的優勢，並針對每個使用情境以最佳方式將這些優勢結合在一起。
（首圖來源：恩智浦）
