氮化鎵走入 5G 多晶片模組,恩智浦強化電信基礎設施效能

作者 | 發布日期 2021 年 07 月 07 日 14:32 | 分類 5G , 晶片 , 科技生活 Telegram share ! follow us in feedly


為縮小 5G 基地台射頻單元尺寸、減輕重量,並提升效能,恩智浦半導體(NXP)7 日宣布將整合氮化鎵(GaN)技術至旗下多晶片模組平台;而應用於 5G 基礎設施的恩智浦多晶片模組中的氮化鎵效能可將效率提高 8%,實現高效能網路。

恩智浦表示,降低能源消耗(Energy consumption)為電信基礎設施的主要目標之一,其中每一點效率都至關重要;而在多晶片模組中使用氮化鎵可在 2.6GHz 頻率下將產品組合效率提高至 52%,比上一代模組高出 8%。透過在單個裝置中採用專利組合 LDMOS(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)和氮化鎵技術,進而提高效能,可提供 400MHz 的瞬時頻寬,僅用一個功率放大器即可完成寬頻射頻設計。

據悉,結合氮化鎵的全新 5G 多晶片模組將使射頻開發人員減少無線電單元的尺寸和重量,幫助行動網路營運商降低在蜂窩式基地台和屋頂部署 5G 的成本。不僅如此,在單一封裝的模組中,還整合了多級(multi-stage)傳輸鏈(transmit chain)、50 歐姆(ohm)輸入/輸出匹配網路和 Doherty 設計;並使其最新 SiGe 技術添加偏壓控制,無需再使用單獨的模擬控制 IC,即可對功率放大器效能提供更嚴密的監控和最佳化。

恩智浦半導體執行副總裁暨無線電功率業務部總經理 Paul Hart 指出,恩智浦開發了專用於 5G 基礎設施的獨特技術工具箱(toolbox),包括專有的 LDMOS、氮化鎵和 SiGe 以及先進封裝和射頻設計 IP,可能夠運用每個元件的優勢,並針對每個使用情境以最佳方式將這些優勢結合在一起。

(首圖來源:恩智浦)