美商記憶體廠美光科技於 30 日宣布,全球首款採用 176 層堆疊的 NAND Flash 通用快閃記憶體儲存 UFS 3.1 行動解決方案已正式量產出貨。透過較前幾代快 75% 的循序寫入和隨機讀取性能,專為高階和旗艦級手機打造的美光 UFS 3.1 獨立行動通用快閃記憶體將能徹底釋放 5G 的潛力,經測試,能在短短 9.6 秒內完成一部 2 小時的 4K 電影下載。
支援 5G 手機應用,美光推 176 層堆疊 NAND Flash UFS 3.1 解決方案 |
作者 Atkinson | 發布日期 2021 年 07 月 30 日 11:50 | 分類 手機 , 會員專區 , 記憶體 | edit |
美商記憶體廠美光科技於 30 日宣布,全球首款採用 176 層堆疊的 NAND Flash 通用快閃記憶體儲存 UFS 3.1 行動解決方案已正式量產出貨。透過較前幾代快 75% 的循序寫入和隨機讀取性能,專為高階和旗艦級手機打造的美光 UFS 3.1 獨立行動通用快閃記憶體將能徹底釋放 5G 的潛力,經測試,能在短短 9.6 秒內完成一部 2 小時的 4K 電影下載。