支援 5G 手機應用,美光推 176 層堆疊 NAND Flash UFS 3.1 解決方案

作者 | 發布日期 2021 年 07 月 30 日 11:50 | 分類 手機 , 記憶體 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


美商記憶體廠美光科技於 30 日宣布,全球首款採用 176 層堆疊的 NAND Flash 通用快閃記憶體儲存 UFS 3.1 行動解決方案已正式量產出貨。透過較前幾代快 75% 的循序寫入和隨機讀取性能,專為高階和旗艦級手機打造的美光 UFS 3.1 獨立行動通用快閃記憶體將能徹底釋放 5G 的潛力,經測試,能在短短 9.6 秒內完成一部 2 小時的 4K 電影下載。

美光指出,新推出的 176 層堆疊 NAND Flash 設計精巧,能滿足行動裝置對高容量、小尺寸解決方案的需求。此次發布前,美光採用 176 層堆疊的 NAND Flash PCIe Gen4 固態硬碟已於 6 月量產供貨,為專業工作站和超薄筆電提供高性能、設計彈性和低功耗等優勢。如今進一步應用於智慧型手機上,美光領先業界的先進 NAND Flash 技術和性能將可透過跨應用程式的多工處理,為使用者實現更即時的行動體驗。

美光行動事業部資深副總裁暨總經理 Raj Talluri 表示,5G 為行動裝置提供數千兆位元的速度,其中,高性能硬體基礎對於驅動光速般的行動裝置體驗而言至關重要。藉由無與倫比的性能,美光突破性的 176 層 NAND Flash 技術能在彈指之間為消費者帶來豐富的多媒體內容。

美光強調,新的 176 層堆疊 NAND Flash UFS 3.1 解決方案提供較前幾代快 75% 的循序寫入速度和快 70% 的隨機讀取速度,可顯著提升應用程式性能。並且具備高達 1,500 MB/s 的循序寫入性能,經測試能夠支援在 0.7 秒內下載 10 分鐘的 4K(2,160 像素)YouTube 串流影片,或在 9.6 秒內下載 2 小時的 4K 電影。

而與前一代相比,美光的 176 層堆疊 NAND Flash UFS 3.1 解決方案及其優秀的服務品質可改善約 10% 的延遲,提供更快速的反應時間與更可靠的行動體驗。此外,與前代產品相比,美光 176 層行動解決方案提供兩倍的寫入總位元數,這代表在不降低裝置可靠性的情況下,可以儲存兩倍的資料量,即使面對重度使用者,也可以延長智慧型手機的使用壽命。目前,美光 176 層堆疊 NAND Flash UFS 3.1 解決方案獨立行動通用快閃記憶體現已上市,有 3 種不同的容量配置:128GB、256GB 和 512GB。

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