SiC 產能再擴大,意法半導體製造首批 8 吋碳化矽晶圓

作者 | 發布日期 2021 年 08 月 11 日 14:43 | 分類 晶圓 , 晶片 , 汽車科技 Telegram share ! follow us in feedly


意法半導體(ST)11 日宣布,瑞典 Norrköping 工廠製造出首批 8 吋(200mm)碳化矽(SiC)晶圓;將 SiC 晶圓升級到 8 吋代表 ST 對汽車和工業客戶的擴產計畫獲得階段性成功,且提升功率電子晶片輕量化和效能,並降低客戶獲取產品成本。

意法半導體汽車和離散元件產品部總裁 Marco Monti 表示,汽車和工業市場正在加速推動系統和產品電氣化的進程,升級到 8 吋 SiC 晶圓將為 ST 的汽車和工業客戶帶來巨大優勢;藉由覆蓋在 SiC 生態系統領域累積的深厚專業知識,可提升 ST 的製造彈性,還能更有效地控制晶圓良率和改善品質。

ST 先進的量產碳化矽 STPOWER SiC 目前由義大利卡塔尼亞和新加坡宏茂橋兩家 6 吋晶圓廠完成前段製程製造,後段製程製造則在中國深圳和摩洛哥布斯庫拉的兩家封測廠進行。這個階段性的成功是 ST 布局更先進、高成本效益之 8 吋 SiC 量產計畫的一部分;ST 正在執行新建碳化矽基板廠和內部採購碳化矽基板比重超過 40% 的計畫(到 2024 年)。

據悉,ST 首批 8 吋 SiC 晶圓品質十分優良,對晶片良率和晶體位元錯誤之缺陷非常低。低缺陷率歸功於 ST 碳化矽公司(前身為 Norstel,2019 年被 ST 收購)在 SiC 矽錠生長技術深厚積累的研發技術。除了晶圓能滿足嚴格的品質標準,升級到 8 吋 SiC 晶圓還需要對製造設備和支援生態系統的升級,ST 正與供應鏈上下游技術廠商合作研發專屬的製造設備和生產製程。

(首圖來源:意法半導體)