德儀攜手台達搶攻第三代半導體市場,為資料中心提供電源解決方案

作者 | 發布日期 2021 年 09 月 23 日 16:20 | 分類 伺服器 , 晶片 , 電力儲存 Telegram share ! follow us in feedly


德州儀器今日宣布氮化鎵(GaN)技術和 C2000 即時微控制器(MCU),輔以台達長期耕耘之電力電子核心技術,將為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器(PSU)。藉由與採用傳統架構的企業伺服器電源供應器相較,台達研發的伺服器電源供應器功率密度可提高 80%,效率提升 1%。根據能源與氣候政策公司能源創新(Energy Innovation)的估計,效率每改善 1%,等於每座資料中心可節省 1 百萬瓦(或 800 戶家庭用電)的總系統成本。

德州儀器指出,在高壓、高功率工業電源應用方面,德州儀器的的氮化鎵場效電晶體(FET)整合了快速切換驅動器,以及內部保護與溫度感測功能,可在有限電路板空間內達成更高效能表現。另外,相關積體電路均通過 4 千萬小時以上的可靠性測試,及超過 5 百萬千瓦小時的功率轉換測試,為工程師提供嚴謹可靠性數據,並可以氮化鎵打造體積更小、重量更輕、效率更高的電源系統。至於,TI C2000TM 即時微控制器與氮化鎵電源解決方案搭配使用可提供多重優勢,例如複雜與時效性處理能力、精確控制、軟體和周邊產品可擴充性等。此外,這些微控制器可支援不同電源設計拓撲與高切換頻率,盡可能提升電源效率,徹底發揮氮化鎵伺服器電源解決方案的潛力。

另外,台達為全球客戶提供電源管理與散熱解決方案,同時也是 AC-DC、DC-DC 與 DC-AC 電源系統的領導廠商,產品應用範圍廣泛,包括資通訊、電動車充電與工業電源等。德州儀器多年來致力於半導體和電腦相關技術,投入氮化鎵技術的開發、應用已長達 10 年,更提供 C2000 微控制器等即時控制解決方案,是台達長期合作的重要夥伴。此次,德州儀器利用創新的半導體製程製造矽基氮化鎵(GaN-on-silicon)技術與積體電路,協助台達等公司打造差異化應用,提升全球資料中心電源效率。

德州儀器高壓電源事業部副總裁 Steve Lambouses 表示,德州儀器的氮化鎵技術將效率更高、體積更小且更為可靠的解決方案推升至了全新境界。除了投資技術發展之外,德州儀器對內更是強化製造生產以便為台達以及其他客戶等提供支援,同時也能夠迅速擴展氮化鎵等新興技術的規模。台達電源及系統事業群(PSBG)副總裁暨總經理尹鏇博表示,「台達多年來專注於提供高能源效率的產品與解決方案,與夥伴及客戶密切合作,以降低碳足跡。這也促使我們長期與 TI 等業界領先公司合作,持續研發並應用新一代技術。」

尹鏇博進一步強調,氮化鎵已突破研發門檻,從未來科技轉變為目前可採用的技術,將為電源供應系統帶來新的設計方式,並提高產品效能和功率,尤其適合伺服器電源供應器。我們的目標是使能源效率超越 98%、功率密度突破每立方英寸 100 瓦特(W/inch3)。氮化鎵技術將完全顛覆既有電源設計與架構,未來幾年電源方案和產品的發展令人期待,台達也將善用新技術,進一步強化台達在資料中心與其它大型應用的電源解決方案領導地位。

(首圖來源:德州儀器)