鴻海研究院半導體研究所所長郭浩中因長期致力於化合物半導體研究，榮獲中國工程師學會 110 年度「傑出工程師教授獎」；更於今日前往總統府晉見總統蔡英文。鴻海研究院表示，未來將積極投入化合物半導體領域，協助台灣將過去在矽半導體產業的卓越經驗，成功複製到化合物半導體領域，為打造台灣電動車生態系，投入更多新研發動能。
全球電動車產業即將迎來高成長期，化合物半導體將成為不可或缺的重要材料元件，鴻海研究院今年發表的 40 多篇論文當中，半導體研究所就占了 10 篇。
郭浩中表示，化合物半導體是未來全球電動車產業極具戰略價值的關鍵零組件，如何去改善或強化碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）製程及可靠度等，對台灣延續在半導體產業的影響力，有其必要性與即時性。
據悉，今年 5 月從陽明交大借調至鴻海研究院的郭浩中，近年兩度獲得科技部傑出研究獎和未來科技突破獎等重要殊榮，共發表超過 500 篇國際期刊，累積達 16,000 次引用、300 篇國際研討會論文、國內外專利 37 篇及專書 4 本。同時在 2012 至 2015 年間獲選為國際光電工程學會會士（SPIE Fellow）、美國光學學會會士（OSA Fellow）、國際工程技術學會會士（IET Fellow）及國際電機電子工程學會會士（IEEE Fellow）。
而在本屆中工會「傑出工程師教授」獎項中，郭浩中以化合物半導體之 GaN 功率元件異質磊晶相關研究獲得評選；該研究有助於電動車、資料中心和 ICT 相關產品快充、節能元件的耐壓與可靠度，進一步推動高功率充電器發展。
（首圖來源：鴻海）
