環球晶衝刺化合物半導體,徐秀蘭:明年產能倍增

作者 | 發布日期 2021 年 12 月 22 日 14:40 | 分類 晶圓 , 零組件 Telegram share ! follow us in feedly


半導體矽晶圓廠環球晶積極衝刺化合物半導體碳化矽(SiC)及氮化鎵(GaN)領域,董事長徐秀蘭表示,明年化合物半導體產能將同步倍增。

徐秀蘭今天出席國際光電大展,她受訪時說,環球晶明年將同步在美國及台灣擴充化合物半導體產能。預計在美國增設碳化矽磊晶產線,就近服務美國客戶,明年1月引進設備,目前產能已被客戶預訂一空。環球晶同時將擴充台灣碳化矽相關的長晶等產能。

至於氮化鎵方面,徐秀蘭表示,生產基地主要位於竹南廠,明年磊晶產能將同步擴增1倍規模。她說,因化合物半導體基期低,即便產能倍增,市場供需依然穩健。

徐秀蘭表示,許多國家將化合物半導體視為戰略管制技術,台灣不易取得國外技術,應結合產、官、學、研界共同努力,建置自主技術及設備。

徐秀蘭指出,除環球晶外,中美晶集團旗下的朋程、宏捷科及兆遠也都積極投入化合物半導體領域,在這次光電大展的化合物半導體專區一同展出集團發展的成果。

徐秀蘭說,中美晶集團成員在化合物半導體領域是各自努力,不過總方向都集中於車用、5G射頻及供電系統,若有需要也可相互支援。

至於矽晶圓方面,徐秀蘭表示,業界新增產能將於2023年開始少量陸續開出,由於廠商擴產動作理性謹慎,預期屆時市場供需仍將維持健康狀態。她說,目前矽晶圓產品平均售價上揚,不過運費上揚,還有新增產能,成本壓力同步增高。

(作者:張建中;首圖來源:環球晶

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