日廠首家,昭和電工 8 吋 SiC 磊晶晶圓開始樣品出貨

作者 | 發布日期 2022 年 09 月 08 日 10:00 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 晶圓 Telegram share ! follow us in feedly


日廠第一家,日本昭和電工(Showa Denko K.K.)宣布,使用於碳化矽(SiC)功率半導體的 8 吋 SiC 磊晶晶圓(Epitaxial Wafer)已開始進行樣品出貨。

昭和電工7日發布新聞稿宣布,使用於SiC功率半導體的8吋(200mm)SiC磊晶晶圓已開始進行樣品出貨,成為日本國內首家送樣8吋SiC磊晶晶圓的廠商。上述8吋SiC磊晶晶圓使用了昭和電工自製的SiC單晶晶圓。

(Source:昭和電工

昭和電工指出,和原先使用矽晶圓的功率半導體相比,SiC功率半導體的電力損耗更少、更不易發熱,來自電動車(EV)、再生能源領域的需求急增,而SiC磊晶晶圓為左右SiC功率半導體性能的關鍵零件。目前SiC功率半導體主要使用6吋(150mm)SiC磊晶晶圓進行生產,而隨著SiC磊晶晶圓大尺寸化、每片晶圓所能獲取的晶片數將變多,有助於提高生產效率、降低成本。

昭和電工表示,該公司為全球最大SiC磊晶晶圓外售廠商。

昭和電工目前已和東芝子公司「東芝電子元件及儲存裝置(ToshibaElectronic Devices & Storage)」、Rohm等多家廠商簽訂SiC磊晶晶圓的長期供應契約。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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