日廠首家，昭和電工 8 吋 SiC 磊晶晶圓開始樣品出貨

日廠第一家，日本昭和電工（Showa Denko K.K.）宣布，使用於碳化矽（SiC）功率半導體的 8 吋 SiC 磊晶晶圓（Epitaxial Wafer）已開始進行樣品出貨。

昭和電工7日發布新聞稿宣布，使用於SiC功率半導體的8吋（200mm）SiC磊晶晶圓已開始進行樣品出貨，成為日本國內首家送樣8吋SiC磊晶晶圓的廠商。上述8吋SiC磊晶晶圓使用了昭和電工自製的SiC單晶晶圓。

（Source：昭和電工）

昭和電工指出，和原先使用矽晶圓的功率半導體相比，SiC功率半導體的電力損耗更少、更不易發熱，來自電動車（EV）、再生能源領域的需求急增，而SiC磊晶晶圓為左右SiC功率半導體性能的關鍵零件。目前SiC功率半導體主要使用6吋（150mm）SiC磊晶晶圓進行生產，而隨著SiC磊晶晶圓大尺寸化、每片晶圓所能獲取的晶片數將變多，有助於提高生產效率、降低成本。

昭和電工表示，該公司為全球最大SiC磊晶晶圓外售廠商。

昭和電工目前已和東芝子公司「東芝電子元件及儲存裝置（ToshibaElectronic Devices & Storage）」、Rohm等多家廠商簽訂SiC磊晶晶圓的長期供應契約。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）

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