搶 EV 商機，富士電機 SiC 功率半導體傳擴產至 10 倍

搶攻需求看旺的電動車（EV）商機，日本富士電機（Fuji Electric）傳出將大幅增產碳化矽（SiC）功率半導體，計劃將 SiC 產能擴增至現行的 10 倍，目標奪下全球 2 成市占。

日經新聞26日報導，富士電機計劃在2024年度將使用SiC的次世代功率半導體產能擴增至當前（2020年度）的約10倍水準，主因來自EV等電動化車款的需求預估將擴大。富士電機目前已生產新幹線零件用SiC功率半導體，而為了為今後供應給汽車產業使用預作準備、將在日本國內的工廠整備量產體制。目前已有多家企業決定採用富士電機的EV用SiC功率半導體產品。

據報導，富士電機目前已開始生產SiC功率半導體的松本工廠將自2022年度起陸續進行增產，且子公司「富士電機津輕半導體」的工廠內也將導入SiC功率半導體產線、並將在2024年度開始進行量產。富士電機目標在2025年度將SiC功率半導體占半導體事業營收比重提高至10%左右、目標在2025-2026年期間將全球SiC功率半導體市占率提高至2成。

報導指出，和現行主流的矽（Si）製產品相比，SiC製產品能承受更高的電壓、大幅降低功率耗損，可有助於延長EV續航距離和實現電池小型化。

SiC功率半導體需求旺，2030年估跳增11.8倍

日本市調機構富士經濟（Fuji Keizai）5月23日公布調查報告指出，因汽車/電子設備需求擴大，2022年全球功率半導體市場規模（包含矽製產品和碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵等次世代功率半導體）預估將年增11.8%至2兆3,386億日圓，且之後市場規模將持續擴大，預估2030年將擴增至5兆3,587億日圓、將較2021年增加1.6倍（增加約160%）。

其中，2022年矽製功率半導體市場規模預估將年增10.0%至2兆2,137億日圓，2030年預估將擴大至4兆3,118億日圓、將較2021年增加1.1倍；2022年SiC等次世代功率半導體市場規模預估將年增58.7%至1,249億日圓，之後市場規模將呈現急速擴大，預估2030年將達1兆469億日圓、突破兆圓大關，將較2021年暴增12.3倍。

就次世代功率半導體的細項來看，2022年SiC功率半導體市場規模（包含SiC-SBD、SiC-FET、SiC功率模組）預估將年增59.5%至1,206億日圓，2030年預估將擴大至9,694億日圓，將較2021年暴增11.8倍；2022年GaN功率半導體市場規模預估將年增21.9%至39億日圓，2030年預估將擴大至305億日圓，將較2021年暴增8.5倍；2022年氧化鎵功率半導體市場規模預估為3億日圓，2030年有望擴大至470億日圓。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：富士電機）