日廠搶攻 EV 用 SiC 功率半導體,東芝傳擴產至 10 倍

作者 | 發布日期 2021 年 12 月 06 日 8:49 | 分類 材料、設備 , 零組件 , 電動車 Telegram share ! follow us in feedly


搶攻電動車(EV)商機、日廠忙增產 EV 用次世代半導體「碳化矽(SiC)功率半導體」,其中東芝(Toshiba)傳出計劃將產量擴增至 10 倍。

日經新聞3日報導,因看好來自電動車(EV)的需求將擴大,也讓東芝(Toshiba)、羅沐(Rohm)等日本廠商開始相繼增產節能性能提升的EV用次世代半導體。各家日廠增產的對象為用來供應\控制電力的「功率半導體」產品,不過使用的材料不是現行主流的矽(Si)、而是採用了碳化矽(SiC)。SiC功率半導體使用於EV逆變器上的話,耗電力可縮減5~8%、可提升續航距離,目前特斯拉(Tesla)和中國車廠已開始在部分車款上使用SiC功率半導體。

報導指出,因看好來自EV的需求有望呈現急速擴大,東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置(Toshiba Electronic Devices & Storage)」計劃在2023年度將旗下姬路半導體工廠的SiC功率半導體產量擴增至2020年度的3倍、之後計劃在2025年度進一步擴增至10倍,目標最遲在2030年度取得全球一成以上市占率。

另外,羅沐將投資500億日圓、目標在2025年之前將SiC功率半導體產能提高至現行的5倍以上。羅沐位於福岡縣筑後市的工廠內已蓋好SiC新廠房、目標2022年啟用,中國吉利汽車的EV已決定採用羅沐的SiC功率半導體產品,而羅沐目標在早期內將全球市占率自現行的近兩成提高至三成。

富士電機考慮將SiC功率半導體開始生產的時間自原先計劃(2025年)提前半年到1年。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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