日廠搶攻 EV 用 SiC 功率半導體，東芝傳擴產至 10 倍

搶攻電動車（EV）商機、日廠忙增產 EV 用次世代半導體「碳化矽（SiC）功率半導體」，其中東芝（Toshiba）傳出計劃將產量擴增至 10 倍。

日經新聞3日報導，因看好來自電動車（EV）的需求將擴大，也讓東芝（Toshiba）、羅沐（Rohm）等日本廠商開始相繼增產節能性能提升的EV用次世代半導體。各家日廠增產的對象為用來供應\控制電力的「功率半導體」產品，不過使用的材料不是現行主流的矽（Si）、而是採用了碳化矽（SiC）。SiC功率半導體使用於EV逆變器上的話，耗電力可縮減5~8%、可提升續航距離，目前特斯拉（Tesla）和中國車廠已開始在部分車款上使用SiC功率半導體。

報導指出，因看好來自EV的需求有望呈現急速擴大，東芝半導體事業子公司「東芝電子元件及儲存裝置（Toshiba Electronic Devices & Storage）」計劃在2023年度將旗下姬路半導體工廠的SiC功率半導體產量擴增至2020年度的3倍、之後計劃在2025年度進一步擴增至10倍，目標最遲在2030年度取得全球一成以上市占率。

另外，羅沐將投資500億日圓、目標在2025年之前將SiC功率半導體產能提高至現行的5倍以上。羅沐位於福岡縣筑後市的工廠內已蓋好SiC新廠房、目標2022年啟用，中國吉利汽車的EV已決定採用羅沐的SiC功率半導體產品，而羅沐目標在早期內將全球市占率自現行的近兩成提高至三成。

富士電機考慮將SiC功率半導體開始生產的時間自原先計劃（2025年）提前半年到1年。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：shutterstock）