台積電 2024 年導入 High-NA EUV 用於 2 奈米製程

外媒報導，台積電目標是 2025 年量產 2 奈米（N2）製程，現階段是 3 奈米（N3）產量和良率提升，是世界最先進晶片製造技術。台積電強調，2023 年量產更具效益的 N3E 製程，滿足客戶需求。

隨著先進製程發展，近期台積電研發和技術高級副總裁米玉傑分享更多資訊。台積電下階段將轉向有更大鏡頭的微影曝光設備，2024 年導入 High-NA EUV 微影曝光，一般認為用於 2 奈米晶片製造。

報導引用 ASML 介紹，有高數值孔徑 （High-NA） 的新型 EUV 曝光微影系統，提供 0.55 孔徑，與 0.33 孔徑透鏡 EUV 系統相較，不但精準度提高，也可達更高解析度，完成更小電晶體設計，同時每小時超過 200 片晶圓產能，對市場的量產需求大有幫助。

英特爾已宣佈採購業界首部 High-NA 微影曝光設備 TWINSCAN EXE:5200 系統，2025 年使用 High-NA 的 EUV 微影曝光設備生產。台積電 2024 年拿到 High-NA EUV 微影曝光設備後，初期僅用於研發協作，會照要求調整，適當時候再大規模生產。

與 3 奈米製程節點不同的是，2 奈米製程節點將使用 Gate-all-around FETs（GAAFET）電晶體技術，使 2 奈米製程節點比 3 奈米製程節點提升 10%~15% 性能，功耗降低 25%~30%。預估 2 奈米製程 2024 年底做好風險生產準備，2025 年底量產，客戶 2026 年就能收到首批晶片。

（首圖來源：shutterstock)