台積電 2024 年導入 High-NA EUV 用於 2 奈米製程

作者 | 發布日期 2022 年 09 月 15 日 15:00 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 Telegram share ! follow us in feedly


外媒報導,台積電目標是 2025 年量產 2 奈米(N2)製程,現階段是 3 奈米(N3)產量和良率提升,是世界最先進晶片製造技術。台積電強調,2023 年量產更具效益的 N3E 製程,滿足客戶需求。

隨著先進製程發展,近期台積電研發和技術高級副總裁米玉傑分享更多資訊。台積電下階段將轉向有更大鏡頭的微影曝光設備,2024 年導入 High-NA EUV 微影曝光,一般認為用於 2 奈米晶片製造。

報導引用 ASML 介紹,有高數值孔徑 (High-NA) 的新型 EUV 曝光微影系統,提供 0.55 孔徑,與 0.33 孔徑透鏡 EUV 系統相較,不但精準度提高,也可達更高解析度,完成更小電晶體設計,同時每小時超過 200 片晶圓產能,對市場的量產需求大有幫助。

英特爾已宣佈採購業界首部 High-NA 微影曝光設備 TWINSCAN EXE:5200 系統,2025 年使用 High-NA 的 EUV 微影曝光設備生產。台積電 2024 年拿到 High-NA EUV 微影曝光設備後,初期僅用於研發協作,會照要求調整,適當時候再大規模生產。

與 3 奈米製程節點不同的是,2 奈米製程節點將使用 Gate-all-around FETs(GAAFET)電晶體技術,使 2 奈米製程節點比 3 奈米製程節點提升 10%~15% 性能,功耗降低 25%~30%。預估 2 奈米製程 2024 年底做好風險生產準備,2025 年底量產,客戶 2026 年就能收到首批晶片。

(首圖來源:shutterstock)