荷蘭半導體設備業龍頭艾司摩爾（ASML）執行長 Peter Wennink 今日在首爾會議表示，新 High-NA EUV 微影曝光設備 2024 年出貨，每台成本 3 億至 3.5 億歐元。
High-NA EUV 系統將提供 0.55 數值孔徑，與 0.33 數值孔徑透鏡的 EUV 相比，精度提高，具更高解析度圖像化能力，以完成更小電晶體，對 2 奈米以下製程是必要設備。
Wennink 指出，High-NA EUV 設備將於 2024 年首次應用於晶圓廠，長期計畫為年產 20 台。
雖然價格高昂，不過英特爾、台積電都有下單，三星、SK 海力士還沒公開證實，但傳出也向 ASML 下訂單。從目前需求看，ASML 年產 20 台可能會供不應求，所以晶片廠可能為了先獲得設備展開激烈競爭。
Wennink 表示，預計 2026~2027 年量產，盡可能擴大產能。
被問及全球晶片市場，Wennink 回應，雖然短期低迷持續，但從中長期看，市場只會成長。未來 10 年，半導體市場預計平均每年成長 9%，2030 年產值將落在 1 兆至 1.3 兆美元。
Wennink也表示，隨著汽車數位化，汽車業可能從成熟製程晶片往更小晶片邁進，從 40 奈米到 5 奈米晶片都有可能。ASML規畫 2024 年投資 2,400 億韓圜，在南韓興建維修與訓練中心。
（首圖來源：ASML）
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