中國 7 奈米以下晶片有救？華為秀 EUV 曝光技術，外媒不看好

為了降低美國晶片限令影響，華為 11 月秀出新極紫外光（EUV）曝光新技術專利，暗示生產 7 奈米以下晶片的可能性。不過外媒 Tom′s Hardware 認為，申請專利不代表能製造 EUV 設備，背後有許多廠商、最先進零組件合作，目前只有艾司摩爾（ASML）成功。

華為 11 月公開新專利技術「反射鏡、光刻裝置及控制方法」，能解決相干光因形成固定的干涉圖樣而無法勻光的問題，在極紫外光的曝光裝置基礎上最佳化，進而達成勻光目的。

不過 Tom′s Hardware 指出，申請專利不代表就能製造 EUV 設備，因 EUV 設備需要許多先進零組件，以及上下游產業配合。即使擁有 EUV 設備，晶片製造商還需要光罩、抗蝕劑及其他量產所需產品。

許多公司都試圖開發有 0.33 數值孔徑的 EUV 設備，但只有 ASML 經過數十年開發、受英特爾、三星和台積電支持成功。現在台積電、三星、SK 海力士都在用 ASML 的 EUV 設備。

由於美國限令，中芯國際再也無法取得先進 EUV 設備，面對潛在需求，報導認為華為急於解決這問題，所以才有專利出現，但也能看出其對半導體的野心。

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（首圖來源：Flickr/Kārlis Dambrāns CC BY 2.0）