美國晶片法案資金補貼限制細節，28 奈米節點將成門檻

彭博社報導，美國將公布聯邦資金申請細節，已宣布美國興建相關設施的半導體製造商，若中國發展新業務有更嚴格限制。美國商務部官員表示，提供 500 億美元補貼的晶片和科學法案細節，禁止獲補貼廠商先進製程產量擴大超過 5%，成熟製程產量擴大超過 10%。

欲申請資金補貼的半導體企業如台積電、三星、英特爾等都會受更嚴格管制，不但可能阻礙其中國部分業務，也使中國更難建立尖端半導體產能。

美國商務部長 Gina Raimondo 聲明顯示，晶片與科學法案從根本上可說是國家安全倡議，有助確保惡意行為者無法取得對付美國和盟友的尖端技術。美國將繼續與盟友、合作夥伴協調，以確保推動共同目標，加強全球供應鏈，並增強集體安全。

為了確保美國政府補貼不會用於中國與俄羅斯等「受關注國家」擴大先進半導體生產能力，新限制禁止相關企業在這些國家增加 28 奈米產能金額超過 10 萬美元，也不能擴產中國生產據點超過 5%。

某官員表示，雖然新規定限制產能擴張，但如果這些公司從商務部獲任何必要出口管制許可證，仍可升級現有設施，以生產先進半導體。如升級製造節點更小的邏輯晶片，或製造堆疊層數更多的記憶體，但限制時間會長達 10 年。

獲補貼的企業不得針對位於「關注國家」現有生產據點與設備，或 28 奈米以上成熟邏輯晶片產能提高 10% 以上。如果企業想在這類國家建新廠，產能至少 85% 須由公司的母國消耗，且必須事先通知美國商務部。即便 28 奈米晶片較先進晶片落後好幾代，但大量用於汽車和智慧手機。商務部表示，若發現獲補貼企業違反規定，政府將全額收回補貼。

新限制使台積電升級或擴建南京晶圓廠更具挑戰性。台積電南京晶圓廠生產 28 和 16 奈米晶片。2022 年 10 月總裁魏哲家表示，台積電獲中國增產一年許可，暫時免除美國全面出口管制措施。南韓三星等記憶體製造商中國擴產更嚴格受限，美國商務部據 2022 年 10 月禁止技術門檻再調整，使三星西安 NAND Flash 廠壓力增加，英特爾只成都有一座封裝工廠，不過規模不大，受影響較小。

獲美國補助的企業也禁止與相關國家實體聯合研究或授權技術，包括兩人以上多人研究和開發計畫。技術許可則定義為提供另一方專利、商業機密或專門技術等協議。相關國家實體清單也會擴大，包括商務部實體名單、財政部中國軍工企業名單及聯邦通信委員會構成國家安全風險的設備和服務名單，許多中國大型科技公司華為、商湯集團及長江存儲等都在其中，擬議規則預定最終內容公布前會舉行 60 天大眾評論。

(首圖來源：台積電)