三星傳出 Q2 擬砍 5% NAND 產能，西安廠為重點

韓媒傳出，三星電子（Samsung Electronics）的 NAND 型快閃記憶體產將減產 5%，主要調整的是西安廠產能。

BusinessKorea 20日報導，集邦科技19日分析顯示，三星2023年第二季的NAND型快閃記憶體月產能會調整至620,000片12吋矽晶圓，較去年Q4減少5.34%。

根據報導，Q2期間，三星將大砍西安廠產能，其中西安一廠（Xian Plant 1）月產能預料會下修至110,000片，較去年Q4的125,000片減少12%；西安二廠（Xian Plant 2）月產能則預料會從145,000片減產7%至135,000片。西安廠占據三星NAND總產量的40%，主要生產128-layer（V6）NAND型快閃記憶體。

三星電子4月7日發表2023年第一季初步財報時曾宣布大幅削減記憶體產量，理由是全球需求低迷，客戶因庫存充足而放慢採購。

BusinessKorea報導指出，當時三星表示，「我們會聚焦技術難度高的先進製程，並轉換至DDR5及LPDDR5 DRAM」、「我們會將記憶體產能調整至適當水位」。業界內部人士分析，三星本次主要會減產DRAM。不過，也有業界觀察家相信，三星應會選擇下砍NAND型快閃記憶體產能，因為當今的記憶體市況頗不樂觀。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：三星）