三星減產 DRAM 原因曝?傳降成本速度慢、研發鬆懈

作者 | 發布日期 2023 年 04 月 14 日 16:05 | 分類 Samsung , 半導體 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
三星減產 DRAM 原因曝?傳降成本速度慢、研發鬆懈


韓媒傳出,三星電子(Samsung Electronics Co.)降低 DRAM 成本的速度變慢,可能是公司決定減產的主因。

南韓媒體The Elec 14日報導,消息顯示,三星導入更先進製程以降低DRAM成本的速度趨緩,恐怕是該公司不得不跟進美光(Micron)、SK 海力士(SK Hynix)減產的原因。倘若引入先進製程,降低成本的速度能快一些,三星或許就不必減產,還可趁著產業景氣衰退之際擴大市占。

據報導,三星搶在對手之前採用極紫外光(EUV)微影設備,可能也是重創利潤的原因。EUV製程昂貴,目前還無法發揮最大潛能。不過,三星提早採用EUV,未來提升生產力的速率也會比對手快。

對於10奈米範圍的DRAM,記憶體商一般不會揭露精確節點,而是稱之為1x(第一代)、1y(第二代)、1z(第三代)奈米。其中,1z大約介於13~11奈米。業者也於最近發表第四代的1a奈米。

根據集邦科技統計,2022年第四季美光的1a奈米DRAM市占率為45.9%、SK海力士為20.8%、三星為5.7%。同期間內,1z奈米DRAM市占排名則依序為三星(46.1%)、SK海力士(32.3%)、美光(29.9%)。美光製造的1a DRAM比競爭對手多,主因該公司並未採用EUV,而是使用多重圖案化(multiple patterning;MP)技術。美光預定2024年才會在1c奈米使用EUV。

The Elec引述消息人士指出,三星過去都能搶在對手前克服挑戰、維繫領導地位,如今卻頻頻提及EUV和摩爾定律已死,這些其實都是「藉口」。部分內部人甚至說,過去五年三星在研發新技術方面有點懈怠;該公司剛開始製造雙棧(double-stack)NAND型快閃記憶體(V7)時也遇到困難。

三星電子4月7日發表2023年第一季初步財報時曾宣布大幅削減記憶體產量,理由是全球需求低迷,客戶因庫存充足而放慢採購。

SK 海力士怨產業陷囚徒困境

SK海力士副董事長Park Jung-ho 3月29日在股東大會上宣布下砍營業支出計畫,為十年以來頭一遭。他說,該公司過去曾積極投資擴產,但現在準備以更具彈性的方式調整產能策略。他表示,「我們去年的資本支出多達19兆韓圜(相當於146億美元),今年準備刪減一半以上」。

Park以囚徒困境(prisoner‘s dilemma,指個人的選擇不符團體最佳利益)來形容DRAM產業持續衰退的現象。他說,「即便我們一再重申不跟進,客戶參與賽局的方式依舊猶如囚徒困境。每當產業景氣下滑,過剩的晶片供給終將導致價格跌勢惡化。」

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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