三星減產 DRAM 原因曝？傳降成本速度慢、研發鬆懈

韓媒傳出，三星電子（Samsung Electronics Co.）降低 DRAM 成本的速度變慢，可能是公司決定減產的主因。

南韓媒體The Elec 14日報導，消息顯示，三星導入更先進製程以降低DRAM成本的速度趨緩，恐怕是該公司不得不跟進美光（Micron）、SK 海力士（SK Hynix）減產的原因。倘若引入先進製程，降低成本的速度能快一些，三星或許就不必減產，還可趁著產業景氣衰退之際擴大市占。

據報導，三星搶在對手之前採用極紫外光（EUV）微影設備，可能也是重創利潤的原因。EUV製程昂貴，目前還無法發揮最大潛能。不過，三星提早採用EUV，未來提升生產力的速率也會比對手快。

對於10奈米範圍的DRAM，記憶體商一般不會揭露精確節點，而是稱之為1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）奈米。其中，1z大約介於13~11奈米。業者也於最近發表第四代的1a奈米。

根據集邦科技統計，2022年第四季美光的1a奈米DRAM市占率為45.9%、SK海力士為20.8%、三星為5.7%。同期間內，1z奈米DRAM市占排名則依序為三星（46.1%）、SK海力士（32.3%）、美光（29.9%）。美光製造的1a DRAM比競爭對手多，主因該公司並未採用EUV，而是使用多重圖案化（multiple patterning；MP）技術。美光預定2024年才會在1c奈米使用EUV。

The Elec引述消息人士指出，三星過去都能搶在對手前克服挑戰、維繫領導地位，如今卻頻頻提及EUV和摩爾定律已死，這些其實都是「藉口」。部分內部人甚至說，過去五年三星在研發新技術方面有點懈怠；該公司剛開始製造雙棧（double-stack）NAND型快閃記憶體（V7）時也遇到困難。

三星電子4月7日發表2023年第一季初步財報時曾宣布大幅削減記憶體產量，理由是全球需求低迷，客戶因庫存充足而放慢採購。