美國對中國祭出新制裁，嚴重阻礙三星西安廠運作效率，三星加速將產能搬出中國，這件事阻斷中國記憶體產業快速崛起，也將讓記憶體產業加速落底。
4月18日，美國媒體報導，美國政府將祭出「史無前例」新規定，對中國新一波技術管制。
《財訊》報導，白宮已開始向中國美國商會和美國產業組織，介紹名為「限制美國公司在中國投資」新規則。媒體報導，美國政府要求美國企業投資中國技術企業前必須通報，並禁止晶片等相關領域交易，還可能考慮提高中國輸美產品關稅，以報復中國未履行貿易協議承諾。
然而，受全球經濟景氣不振和美中科技戰影響，讓南韓半導體產業進退兩難，美國進一步制裁中國，很可能讓記憶體產業加速落底。
記憶體寒冬，三星獲利大降
全球記憶體產業陷入供過於求景氣谷底。最明顯跡象是，記憶體龍頭三星電子，繼2022年第寺季營收獲利重挫後，4月7日更預告2023年第一季獲利年減96%，是2009年以來最低，三星並預期，今年全球晶片市場萎縮6%。
三星全球DRAM和NAND Flash市占率超過45%，雖然記憶體等半導體產品2022年第四季只占整體營收28%，但半導體部門對三星獲利極重要。不過一年前，2021年第四季時，三星13兆韓圜獲利，就有8.84兆來自半導體部門，比重高達68%；但到去年第四季，半導體部門營收貢獻竟只剩6%！
更嚴重的是，隨著記憶體價格下滑，今年第一季三星記憶體部門獲利雪上加霜。集邦科技分析，NAND Flash市場仍陷入供過於求，去年第四季NAND Flash總營收季減25%之後，今年第二季價格仍將較前一季下滑5%~10%。至於DRAM價格，集邦科技觀察，今年第一季均價下跌近20%，第二季仍會下跌10%~15%。
這次連三星都被迫減產。三星在西安擁有生產NAND Flash記憶體的工廠，海力士最大DRAM工廠在中國無錫；台經院估計，2022年三星營收14.7%來自DRAM，8.6%來自NAND Flash。
三星西安廠占三星NAND Flash四成產能，兩座廠月產能25萬片，占全球NAND Flash產能10%，也是三星唯一海外記憶體廠，西安稱之為三星城。
西安廠大減產，價格將落底
但去年10月，美國政府對中國禁運18奈米以下DRAM、128層以上NAND Flash和14奈米以下邏輯晶片等製造設備給中國企業，並要求荷蘭和日本參與制裁，雖然三星等南韓企業拿到一年許可，但美中科技戰下，投資中國風險愈來愈高。
三星西安廠變成愈來愈大的負擔。禁運實施後，三星南韓平澤工廠和西安工廠技術差距不斷增加，南韓母廠使用高達200層3D NAND Flash技術，無法移轉給西安工廠，導致西安廠仍在用100層3D NAND Flash技術，無法提升技術下，西安廠效率相對下滑。
產業人士觀察，雖然三星西安廠仍在運作，但導入新半導體設備難度不斷上升，升級原有工廠幾乎變成不可能的任務。SK海力士無錫DRAM工廠，也面臨同樣挑戰。
4月底南韓媒體傳出，三星將減產NAND Flash 5%，主要調整西安廠產能。市調機構分析，今年第二季，三星NAND Flash月產能將降為62萬片，較去年第四季減少5%，且西安一廠月產能減少15,000片，西安2廠月產能減少10,000片，兩廠主要都是生產128層NAND Flash。
群聯電子執行長潘健成觀察，由於生產NAND Flash的原廠獲利大幅下滑，原廠計畫產量下降至有意義程度，降低庫存水位，並緩解NAND市場價格壓力。他認為大廠都無法承受價格壓力時，代表NAND Flash市場價格離落底不遠。
潘健成表示，由於客戶仍在觀望市況，採購行為保守，庫存都積在上游製造商，等到NAND Flash廠商陸續減產後，有助供需平衡，並刺激價格回溫。
美國制裁，中國市占恐衰退
《財訊》觀察，這次記憶體價格崩盤，最終受傷的卻是中國記憶體產業。彭博社報導，過去幾年，中國長江存儲等公司的全球記憶體產業市占率不斷上升，至2022年，中國DRAM產業市占率達15%，較2018年增加5個百分點，南韓則是61%。
彭博社報導，南韓將以犧牲中國產業為代價，擴大全球影響力；南韓將調降中國生產記憶體比重，全球NAND Flash市占率由2022年41%，2023年降至33%，中國NAND Flash市占率2022年只有21%，到2023年時預估達31%，幾乎逼近南韓；但美中科技戰影響，南韓NAND Flash市占率2024年將升至39%，中國下滑至24%。
大洗牌正在進行，產業人士估計，若少了美、歐、日設備，中國將再難製造尖端記憶體，這場戰爭短期讓三星受創，長期卻是挽救三星免受中國追兵威脅。當景氣春燕回來，全球記憶體產業格局又會再次轉變。
（本文由 財訊 授權轉載）
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