ASML：數值孔徑 0.75 超高 NA EUV 微影曝光設備 2030 年登場

日本媒體報導，微影曝光設備龍頭艾司摩爾 (ASML) 執行副總裁 Christophe Fouquet 近日在比利時 imec 年度盛會 ITF World 2023 表示，半導體產業需要 2030 年代開發數值孔徑 0.75 的超高 NA EUV 曝光技術，滿足半導體發展。

Christophe Fouquet 表示，自 2010 年代以來 EUV 技術越來越成熟，半導體製程微縮至 2020 年前後三年，以超過 50% 幅度前進，不過速度可能會在 2030 年代放緩不敷使用。

故 ASML 計劃年底前發表首台商用 High-NA (NA=0.55) EUV 微影曝光設備 (原型製作)，2025 年量產出貨。2025 年開始，客戶就能從數值孔徑為 0.33 傳統 EUV 多重圖案化，切換到數值孔徑為 0.55 High-NA EUV 單一圖案化，降低製程成本，提高產量。

High-NA EUV 預估會有五大客戶：英特爾、台積電、三星、SK 海力士、美光，可最早使用設備。柯林研發、柯磊、HMI 和 JSR 及東京電子等正與 ASML 合作，開發 High-NA EUV 材料與特用化學品。

Fouquet 表示，EUV 光源輸出功率一直穩步增加，ASML 傳統型號 EUV 光源輸出功率為 250W~300W，最新型號 3600D 增加到 350W，現在研究層面已做到 600W，800W 指日可待。

到 2030 年代，使用 High NA EUV 的多重圖案將與單一圖案一起完成，以提高產量，並降低製程成本，需要更高數值孔徑的 EUV 曝光 (NA=0.75)。藉 DUV (乾式)、ArF (浸沒式)、EUV 和 High-NA EUV 技術形成圖案的每個電晶體成本都不斷變化，考量到新技術價格一定高於 EUV 每套 3 億美元，High-NA EUV 價格將非常可觀，但仍取決於客戶要求和開發成本。

(首圖來源：ASML)