HBM4 堆疊連結介面將提升至 2048 位元，大幅提升傳輸效能

外媒報導，高頻寬記憶體 (HBM) 在上市不到十年就獲長足進步。HBM 極大化提高數據傳輸速率，容量提高幾等級，並大量傳輸功能。HBM 預計還有另一個重大變化，就是下一代 HBM4 記憶體堆疊將採 2048 位元記憶體堆疊連結介面。

Tom′s Hardware 報導，將堆疊連結介面從 1024 位元增加到 2048 位元是 HBM 記憶體技術有史最大變化。2015 年以來，所有 HBM 堆疊連結介面都採 1024 位元標準，但此為非官方訊息，真實性可能須持保留態度。

尚不清楚記憶體製造商是否能為 2048 位元介面 HBM4 堆疊連結介面維持如 HBM3E 約 9GT/s 傳輸速率，如果可以，介面位元數增加將使最高頻寬從 1.15TB/s 提升到 2.30TB/s。還不清楚每個堆疊記憶體介面位元數增加後，如何影響處理器和中介層。

現在大型處理器如輝達 H100，就使用大型 6144 位元連結介面，支援六個 1024 位元 HBM3 / HBM3E 堆疊記憶體晶片 (KGSD)。但單個記憶體晶片介面是否增加到 2048 位元，還有待觀察處理器開發人員是否繼續使用相同數量的 HBM4 記憶體晶片堆疊。

有人擔心，2048 位元介面 KGSD 產量將下降，因生產數千個矽通孔 (TSV) 的記憶體堆疊會更困難。但消息指出，三星和 SK 海力士都有信心新記憶體晶片良率達 100%。

(首圖來源：SK 海力士)