記憶體大廠美光科技（Micron）宣布推出採用 1β 製程節點技術的 16Gb DDR5 記憶體。美光 1β DDR5 DRAM 的內建系統功能速率可達 7,200MT/s，目前已出貨給所有資料中心及 PC 客戶。美光 1β DDR5 記憶體採用先進高介電常數 CMOS 製程、四相位時脈及時脈同步，相較於前一代產品，效能可提升 50%，每瓦效能功耗可降低 33%。
美光指出，為因應資料中心工作負載所需，CPU 內核數持續增加，為突破「記憶體牆」（Memory Wall）瓶頸，同時為客戶提供最佳化的總擁有成本，對於記憶體頻寬及容量需求也隨之大幅提升。美光 1β DDR5 DRAM 可擴大運算能力，並以更高效能輔佐資料中心及客戶端平台，支援 AI 訓練及推論、生成式 AI、資料分析、記憶體資料庫等。全新 1β DDR5 DRAM 產品在現有模組化密度中，速率可達 4,800MT/s 至 7,200MT/s，適用於資料中心及客戶端應用。
美光核心運算 DRAM 產品設計工程事業部企業副總裁 Brian Callaway 指出，量產 1β DDR5 DRAM 並提供給客戶及資料中心平台，是業界一大里程碑，在我們與生態系夥伴及客戶合作下，將加速高效能記憶體產品的普及。
美光 1β 技術協助提供更廣泛的記憶體解決方案，包括使用 16Gb / 24Gb / 32Gb DRAM 晶粒 DDR5 RDIMMs 和 MCRDIMMs、使用 16Gb / 24Gb DRAM 晶粒的 LPDDR5X 及 HBM3E 與 GDDR7。全新美光 16Gb DDR5 記憶體產品可透過直接銷售及通路夥伴供貨。
(首圖來源：科技新報攝)
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