Tag Archives: LPDDR5X

美光 1β 節點製程延伸至伺服器及 PC,推出 7,200MT/s DDR5 記憶體

作者 |發布日期 2023 年 10 月 19 日 11:15 | 分類 半導體 , 記憶體

記憶體大廠美光科技(Micron)宣布推出採用 1β 製程節點技術的 16Gb DDR5 記憶體。美光 1β DDR5 DRAM 的內建系統功能速率可達 7,200MT/s,目前已出貨給所有資料中心及 PC 客戶。美光 1β DDR5 記憶體採用先進高介電常數 CMOS 製程、四相位時脈及時脈同步,相較於前一代產品,效能可提升 50%,每瓦效能功耗可降低 33%。

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美光宣布 LPDDR5X 記憶體獲高通 Snapdragon 8 Gen 2 納參考設計

作者 |發布日期 2022 年 11 月 21 日 16:10 | 分類 Android 手機 , IC 設計 , 半導體

記憶體大廠美光宣布,LPDDR5X 行動記憶體獲高通 Snapdragon 8 Gen 2 納入參考設計。Snapdragon 8 Gen 2 為高通針對旗艦級手機的最新行動平台,參考設計主要用途是供品牌業者展示晶片組設計智慧手機時各項優點,美光 LPDDR5X 亦整合至高通 Snapdragon 8 Gen 2 參考設計,成為主要架構一環,持續受市場青睞。同時此記憶體量產出貨,有助第一款內建 LPDDR5X 的手機達最高速度。

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美光跳過 EUV 廣島廠量產 1β 製程 DRAM,成本優勢具競爭力

作者 |發布日期 2022 年 11 月 02 日 12:40 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體

記憶體大廠美光(Mircon)今日宣布,為特定智慧手機製造商與晶片組合作夥伴提供 1β(1-beta)DRAM 驗證樣品,全球最先進 DRAM 製程節點 1β 量產全面就緒。新世代製程技術率先用於美光 LPDDR5X 行動記憶體,最高速度每秒 8.5Gb,也是繼三星同樣最高速度每秒 8.5Gb LPDDR5X DRAM 之後,第二家推出同等級產品的廠商,也是首家不採 EUV 微影曝光設備生產 1β 節點的記憶體廠,成本優勢可強化市場競爭力。

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