美國政府資金援助格羅方德，以生產新氮化鎵晶片

晶圓代工廠格羅方德 (GlobalFoundries) 從美國政府獲 3,500 萬美元 (約新台幣 11.2 億元) 聯邦補助，加速佛蒙特州 Essex Junction 晶圓廠生產第三類半導體氮化鎵（GaN）。

美媒報導，這筆資金使格羅方德大規模生產 GaN 晶片，對處理高電壓和高溫環境獨一無二，為基礎設施、手機、汽車、工業物聯網（IoT）、電網和其他關鍵基礎設施 5G 和 6G 通訊提供改變遊戲規則的性能和效率。

國防部 Trusted Access Program Office（TAPO）補助 31 億美元，格羅方德計劃購買工具擴大開發設計，更接近大規模生產 8 吋 GaN 晶片。格羅方德投資計畫為減少公司及客戶對鎵 (Ga) 供應鏈限制的風險，同時提高美國製造 GaN 晶片速度、供應能力和競爭力。

格羅方德總裁兼執行長 Thomas Caulfield 表示，GaN 是高性能射頻、高壓功率開關等新興市場的控制應用理想技術，對 6G 無線通訊、工業物聯網和電動車產生重大影響。格羅方德與美國政府長期合作，補助對 GaN 晶片接近量產大有幫助，也使格羅方德客戶研究大膽新設計，突破關鍵技術能耗和性能極限。

格羅方德的佛蒙特州伯靈頓附近 Essex Junction 晶圓廠為美國最早主要半導體製造基地，約 1,800 員工。此廠生產晶片將用於智慧手機、汽車和通訊基礎設施，也是 DMEA 認證的可信賴晶圓廠，與美國國防部合作生產安全晶片，用於美國敏感航空航太和國防系統。

(首圖來源：格羅方德)