中國現有 DUV 能推動 5 奈米製程？林本堅：可行但成本將非常高

華為 Mate 60 Pro 搭載海思麒麟 9000S，由中芯國際 N＋2 製程製造，因突破美國制裁而在業界造成不小轟動，但不意味著華為前路會更順利。根據最新報導，台積電前副總裁林本堅（Burn J. Lin）認為，在現有 DUV 設備製造 5 奈米晶片組將非常昂貴，但也可行。

據悉，華為為 2024 年開發 P70、P70 和 P70 Art，有望成為明年第一波旗艦手機，但還不確定會搭配哪些晶片組。林本堅表示，在 DUV 設備上從 7 奈米晶片轉向 5 奈米晶片是可行的，但將使華為付出代價。中芯國際現有 DUV 曝光機若要量產 5 奈米 SoC，至少需要四倍圖案化（ patterning ），過程需要多重曝光和多重蝕刻。

這種製程缺點不僅耗時長，成本也高，並影響產量。林本堅解釋，因為設備一次可以曝光 250 片，兩次曝光頂多 125 片，蝕刻也更花流程，因此 DUV 曝光機要進入 5 奈米製程，不只花時間也花錢。也因此，這可能意味著華為明年 P70 系列可能沒有足夠的 5 奈米麒麟晶片供應。目前荷蘭半導體設備大廠 ASML 已被禁止向中芯國際等中國實體提供突破 7 奈米門檻所需的設備。

林本堅也點出另一個挑戰是，即使用 DUV 設備需要在多次曝光過程中進行精確對準，可能需要時間，並可能產生錯位，「稍微不准就會吃虧，不管良率、製程就會吃虧」。他表示，浸潤式（ immersive）DUV 技術可以實現五、六倍圖案化，但重點是要付出多少代價，如時間代價、成本代價、對不準的代價。

林本堅表示，其實 EUV 設備也是如此，當設備達到極限的時候，看要曝光幾次、蝕刻幾次，都會成為考量，這也是被半導體業認為「微縮的路」，微縮就是很花錢，在達到摩爾定律、物理極限前，會先面臨成本的極限。

也因此，中芯國際可能針對 5 奈米晶圓向華為收取驚人費用，加上華為手機出貨僅限中國，晶片組產量下滑，也會使麒麟晶片價格上漲。目前不清楚華為和中芯國際未來能否採購到部分 EUV 設備，但傳出中國政府投入數十億美元減少對外部供應商的依賴，包括受美國影響的供應商。