三星取得美國無限期豁免，逐步擴產中國西安廠

10 月韓國三星電子和 SK 海力士獲美國政府管制中國出口無限期豁免，中國廠無需特別許可，可進口半導體晶片製造設備，三星已開始動作，提升西安廠產能。

中媒報導，三星半導體 12 吋快閃記憶體晶片 M-FAB 晶圓廠擴建進入後主體施工，該廠 2012 年落腳西安，是三星唯一海外記憶體生產基地，發展為全球最大 NAND Flash 快閃記憶體製造基地，每月生產 20 萬片 12 吋晶圓，達三星 NAND Flash 快閃記憶體總產量 40% 以上，2020 年新規劃第二期晶圓廠興建計畫。

三星西安廠第一期首座晶圓廠投資 108.7 億美元，2017 年開始建造第一期第二工廠，投資 150 億美元。第二期廠計畫興建完成並投產後，將為全球規模最大 NAND Flash 快閃記憶體生產基地，為西安電子資訊產業集群化發展，打造全球知名電子資訊產業創新聚落建立強有力的基礎。

韓媒 Business Korea 報導，三星高層決定將西安 NAND Flash 廠升級到 236 層堆疊製程，並大規模擴產。消息人士表示，三星開始採購半導體設備，預定年底交貨，2024 年陸續引進第八代 NAND Flash 設備，業界視為對抗全球 NAND Flash 快閃記憶體市場需求疲軟使產能下降的策略。

(首圖來源：三星)