ASML、三星建研發中心，韓媒：對下代記憶體製程開發很重要

韓國三星電子和荷蘭半導體設備龍頭 ASML 已簽署備忘錄，將共同投資 7 億歐元，在韓國打造半導體技術研發中心，目標是開發下一代 EUV 曝光技術的超精細製程和設備。

韓媒 Business Korea 指出，兩間公司具體投資金額尚未公布，研發中心可能選址京畿道華城，因為三星和 ASML 都有半導體生產基地。目前 ASML 正在建設華城新園區，於三星半導體廠附近投資 2,400 億韓圜，占地 16,000 平方公尺，計畫 2024 年底完工。據悉，該園區將包括 EUV 和 DUV 設備元件的再製造中心和培訓中心。

韓媒指出，三星期盼透過改善 EUV 曝光設備製程來實現良率，ASML 則決定與三星合作，獲得下一代記憶體曝光製程的專業知識。

業界認為，記憶體和設備領域龍頭間的聯盟意義重大，EUV 對代工廠的製程至關重要，也成為 DRAM 製程的關鍵技術。DRAM 從 14 奈米製程開始，由於產量和生產成本問題，必須開始使用 EUV 設備，因此 EUV 聯盟對開發下一代記憶體製程的相當重要。

漢陽大學融合電子系教授 Park Jae-keun 認為，至少在未來 10 年內，DRAM 生產將需要應用 EUV 製程。由於三星、SK 海力士和美光這前三大記憶體公司間的 EUV 競爭才剛開始，三星與 ASML 的合作有望暫時保持在市場上的主導地位。

SK 海力士也宣布與 ASML 合作，共同開發在 EUV 製程中降低功耗和碳排放的技術。