管制漏洞？日經：長鑫存儲已獲美日關鍵設備，目標打造高頻寬記憶體

美中對抗下美國出口管制日趨嚴厲，中國 DRAM 大廠長鑫存儲（CXMT）努力設法生產首款國產高頻寬記憶體（HBM），這是人工智慧運算關鍵零組件，《日經新聞》引述直接了解狀況的消息人士，長鑫存儲已從美國和日本供應商訂購，且收到適合組裝和生產 HBM 的製造和測試設備，這些設備不受出口管制。

《日經新聞》報導，某晶片業高層主管透露，長鑫存儲急著取得可生產高頻寬記憶體的關鍵設備，儘管HBM技術尚未達到大規模生產，但因這些設備目前不受出口管制故先買起來放。

長鑫存儲是中國最大動態隨機存取記憶體（DRAM）晶片製造商，消息人士透露，自去年開始，長鑫便優先開發並複製HBM晶片架構，因這類HBM晶片有加速人工智慧運算和應用的能力。

美企陸續取得華府出口許可

儘管自2022年10月實施全面出口管制，遏止北京獲取先進晶片，包括製造先進DRAM等，但報導援引兩名消息人士說法指出，自2023年中，美國應用材料（Applied Materials，應材）和科林研發（Lam Research）等領先美國設備商就獲華府許可，能出口晶片生產設備給長鑫存儲。

長鑫存儲成立於2006年，去年底宣布量產中國首款LPDDR5記憶體晶片，是目前業界主流行動DRAM，適用高階智慧手機。這進步使長鑫存儲技術僅次美國頂級記憶體晶片製造商美光和南韓SK海力士，甚至領先台灣南亞科技，後者更專注專業市場而不是大眾消費電子業務。但到2023年，長鑫存儲的全球DRAM市佔率還不到1%，三星、SK海力士和美光三大巨頭仍控制超過97%市場。

Counterpoint半導體分析師Brady Wang認為，中國希望HBM自給自足，但仍面臨許多挑戰。他說：「當DRAM技術落後全球對手，HBM技術在商業化市場競爭也將居於劣勢，更不用說HBM的生產需要複雜設計和製造技術。不過中國目標可能只是滿足國內需求。」

（本文由 中央廣播電台 授權轉載；首圖來源：長鑫存儲）