華為與中芯國際聯手，以多重圖案化開發 5 奈米製程

彭博社報導，華為和中芯國際（SMIC）送交名為自對準多重圖案化（SAQP）晶片專利，目標生產 5 奈米等級晶片，不過同樣方法過去英特爾第一代 10 奈米製程曾經失敗。因華為和中芯國際礙於美國限制無法獲最先進半導體設備，如極紫外光曝光設備 (EUV)，別無選擇只能改用多重圖案化。

儘管美國努力限制中國在先進半導體生產領域的能力，但使用多重圖案化技術 (SAQP) 技術仍然可以使中芯國際發展 10 奈米以下製程。對英特爾來說，多重圖案化目的是降低依賴高階曝光機，特別是 ASML EUV，華為和中芯國際案例，多重圖案化是使用現有半導體設備提升晶片電晶體密度的唯一方法。

華為與中芯國際申請專利敘述，多重圖案化技術主要是晶圓多次曝光與蝕刻線路，以提高電晶體密度、降低功耗，最大程度提高性能。這種方法可以生產比中芯國際已經為華為生產的麒麟 9000S 晶片生產更複雜的產品。而與華為合作的國家支援晶片製造設備開發商深圳新凱來技術 (SiCarrier) 也獲得了一項關於多重圖案畫技術的專利，這再次證實了中芯國際計劃在其下一代節點中使用該技術。

儘管多重圖案有使中國製造 5 奈米等級晶片的潛力，但據研究單位 TechInsights 專家表示，中國最終仍需採購或開發 EUV 設備，以獲超越 5 奈米技術的長期競爭力。如果華為及合作夥伴採替代方案，每片晶片成本可能超過個人電腦和智慧手機等設備成本，如 5 奈米開發高效能運算晶片用於超級電腦，還可開發大規模殺傷性武器武器，成本不會是重要考量。

雖然開發武器對中國可能很重要，但晶片技術的進步對國家經濟也至關重要。例如，基於中國國內消費者可望獲得最強大廠品的需求，中國的買家都希望能獲得有競爭力的產品如蘋果 iPhone，這就是華為可能設計消費者晶片系統與生產之處，但中芯國際技術必須迎頭趕上，才有機會達到華為目標。

(首圖來源：shutterstock)