韓國記憶體大廠 SK 海力士宣布，斥資 38.7 億美元在美國印第安那州興建新先進記憶體封裝廠，預期 2028 年下半年開始營運，有望生產HBM4 和 HBM4E 記憶體產品。
據報導，該廠將不加工帶記憶體電路的晶圓，而是從其他地方（如韓國 SK 海力士晶圓廠）獲得這些晶圓，再用已知良好堆疊裸晶組裝 HBM。
部分用於 AI 和高性能運算的最先進處理器都採用 HBM 記憶體，如 AMD MI300 系列和 Nvidia H100/H200、B100/B200 系列產品。在美國設 HBM 封裝廠將使高頻寬記憶體的供應鏈更具彈性，但從 SK 海力士聲明看，該公司將繼續在韓國生產 HBM 記憶體設備。
該工廠預期成本將大幅超越英特爾、台積電封裝廠成本，加上HBM4 和 HBM4E 記憶體堆疊將採用 2048 位介面，比現有 HBM3、HBM3E 複雜，因此需要更複雜的封裝設備。也因此，預期 SK 海力士印第安那州廠投產後，將成為世界上最先進的半導體封裝工廠之一。
SK 海力士執行長 Kwak Noh-Jung 指出，很高興能成為業內首間在美國為 AI 產品建立先進封裝設施的企業，期盼新工廠能推進公司 AI 記憶體晶片目標，服務客戶的需求。
該廠將位於印第安那州的西拉法葉（West Lafayette），SK 海力士表示，之所以選擇此處，是因為印第安那州擁有強大工業基礎設施，包括以普渡大學和常春藤技術社區學院為首的研發生態系統、半導體專家，及州政府和地方政府的大力支援。
此外，SK 海力士還與普渡大學簽署研發專案，並與常春藤技術社區學院（Ivy Tech Community College ）合作，開設培訓課程和多學科學位課程，培養高科技領域的熟練勞動力。
（首圖來源：shutterstock）
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