台積電、三星、英特爾三家先進製程展開激烈競爭，台積電雖然市占率持續領先，有許多大客戶訂單，但曾是全球半導體技術龍頭的英特爾也繼續追趕，不但日前公布「四年五節點」後的 Intel 14A，更領先其他競爭對手，優先取得 ASML 高數值孔徑極紫外光曝光機（High-NA EUV），精進先進製程。英特爾下週將舉行說明會，公布應用規劃。
英特爾媒體邀請函指出，晶圓代工（Intel Foundry）台灣時間 16 日舉行高數值孔徑極紫外光曝光機（High-NA EUV）線上說明會，為首家採高數值孔徑極紫外光曝光機的企業，英特爾將分享如何將高數值孔徑極紫外光曝光機用於 Intel 18A 後製程，以推動「四年五節點」（5N4Y）藍圖。
英特爾表示，會議將由英特爾企業副總裁暨邏輯技術開發部聯合總經理 Ryan Russell、英特爾微影硬體和解決方案部總監 Mark Phillips 主講，帶領媒體搶先預覽英特爾晶圓代工採用高數值孔徑極紫外光曝光機的最新進度與成果。
英特爾 3 月初公布影片，介紹俄勒岡州希爾斯伯勒 (Hillsboro) 附近晶圓廠安裝狀況。ASML 的 Twinscan EXE:5000 High-NA EUV 曝光機體積非常龐大，共需 250 個棧板運送，總重量約 33 萬磅。
ASML High-NA EUV 曝光機以 8 奈米解析度圖形化，增強標準孔徑 EUV 曝光性能，單次曝光解析度僅限 13 奈米，電晶體尺寸小約 1.7 倍，電晶體密度增加近三倍。8 奈米關鍵尺寸對 3 奈米以下至關重要，半導體界希望 2025~2026 年達成目標。據英特爾規劃，首套 ASML High-NA EUV 曝光機將以研究和開發應用為主。
(首圖來源：ASML)
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