紀念性一刻！ASML 最新 High-NA EUV，成功印首條 10 奈米密集線

ASML 宣布首款 0.55 數值孔徑（High-NA）EUV 曝光設備已列印出第一個圖案。最新貼文，High-NA EUV 系統成功列印出第一條 10 奈米密集線（dense lines）。

ASML 指出，下一步是使系統充分發揮全部性能，並在現場取得相同結果。

Our High NA EUV system in Veldhoven printed the first-ever 10 nanometer dense lines. ✨ Imaging was done after optics, sensors and stages completed coarse calibration.

Next up: bringing the system to full performance. And achieving the same results in the field. ⚙️ pic.twitter.com/zcA5V0ScUf

— ASML (@ASMLcompany) April 17, 2024

ASML 是第一間宣布使用 High-NA EUV 系統並成功圖案化的公司，對半導體產業是重要里程碑。最新發文和照片，High-NA EUV 系統成功列印出第一條 10 奈米密集線（dense lines），官網提到理論極限是 8 奈米。

目前全球有兩套 High-NA EUV 設備，一套在 ASML 荷蘭總部 Veldhoven 製造，該公司與 Imec 有個 High-NA 聯合實驗室；另一套在英特爾美國奧勒岡州 D1X 晶圓廠組裝。ASML 最新曝光設備已運送至第二客戶處，外界猜可能是台積電。

英特爾希望以 High-NA EUV 設備量產晶片，不過執行長 Pat Gelsinger 最近提到不會給 Intel 18A 用，會留到下個主要節點，推測可能是 Intel 14A。

High-NA EUV 採 0.55 NA 鏡頭，實現 8 奈米級解析度，標準 EUV 技術使用 0.33 NA 鏡頭。與 Low-NA 工具相比，可印刷電晶體尺寸縮小 1.7 倍，單次曝光電晶體密度提高 2.9 倍，實現 8 奈米製程對 3 奈米以下相當重要，晶片可望 2025~2026 年問世。