台積電拿下 SK 海力士 HBM4 先進製程與封裝大單，聯盟成形

韓國記憶體大廠 SK 海力士 19 日宣布，公司就下一代 HBM 產品生產和加強融合 HBM 與邏輯層的先進封裝技術，將與台積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計劃與台積電合作開發預計在 2026 年投產的 HBM4，即第六代 HBM 產品。

SK 海力士表示，公司做為 AI 應用的記憶體領域的領先者，與全球頂級邏輯代工企業台積電攜手合作，將會繼續引領 HBM 技術創新。透過以構建 IC 設計廠、晶圓代工廠、記憶體廠三方技術合作的方式，公司將實現記憶體產品性能的新突破。

兩家公司將首先致力於針對搭載於 HBM 封裝內最底層的基礎裸片（Base Die）進行性能改善。HBM 是將多個 DRAM 裸片（Core Die）堆疊在基礎裸片上，並透過 TSV 技術進行垂直連接而成。基礎裸片也連接至 GPU，發揮對 HBM 進行控制的作用。

SK 海力士表示，以往的 HBM 產品，包括 HBM3E（第五代 HBM 產品）都是採用公司自家製程技術來製造的基礎裸片。但從 HBM4 產品開始計畫採用台積電的先進邏輯（Logic）製程技術，藉由基礎裸片採用超細微製成來增加更多的功能。由此，公司計劃生產在性能和功效等方面更廣的滿足客戶需求的客製化（Customized）HBM 產品。

另外，SK 海力士與台積電的合作，雙方將協力優化 SK 海力士的 HBM 產品和台積電的 CoWoS 技術融合，共同應對 HBM 相關客戶的要求。

(首圖來源：SK 海力士)