DRAM 發明人 Robert Dennard 辭世，縮放定律影響半導體 30 多年

DRAM 記憶體發明人 Robert Dennard 於 2024 年 4 月 23 日逝世，享壽 91 歲。

IBM 官網指出，Robert Dennard 於 1932 年 9 月 5 日出生於美國德州特雷爾，1958 年獲卡內基理工學院電氣工程博士學位，加入 IBM 擔任研究員。早年任職 IBM，研究金屬氧化物半導體場效電晶體 (MOSFET) 設計和電路應用，1960 年代記憶體需求日漸提升，主流磁芯隨機存取記憶體卻面臨密度、成本、性能極限。

Robert Dennard 從事金屬氧化物半導體（MOS）記憶體開發，但速度過慢、消耗過大晶片面積，偶然下 Robert Dennard 腦中浮現靈感，覺得可用單電晶體電容器帶電正負記錄數據，反覆充電達成數據動態更新，測試成功後就是日後 DRAM 記憶體的基礎。

Robert Dennard 和 IBM 於 1968 年獲得了 DRAM 專利，該技術在 1970 年投入商用後，以其低成本、低功耗、結構簡單的優勢使磁芯隨機存取記憶體迅速退出市場，並推動了資訊電信技術的快速進步。另外，DRAM 記憶體還與第一批低成本微處理器一同加速了電腦的小型化，以 Apple II 為代表的早期個人電腦得以在商業上獲得成功，也為現在的行動設備打開了市場。

Robert Dennard 還提出著名的登納德縮放定律，電晶體越來越小，功率密度將保持不變，因此功率消耗與面積成反比，電壓和電流與長度成反比。這條規律統治半導體業界 30 多年，與摩爾定律、阿姆達爾定律並稱半導體產業三大定律。