
《韓國經濟新聞》(The Korea Economic Daily)報導,三星今年將推高頻寬記憶體(HBM)3D 封裝服務。
三星去年宣布 3D AI 晶片封裝「SAINT」(三星先進互連技術)平台,包括三種技術:垂直堆疊 SRAM 和 CPU 的「SAINT-S」,CPU、GPU 等處理器和 DRAM 記憶體垂直封裝的「SAINT-D」,以及應用處理器(AP)等邏輯晶片堆疊的「SAINT-L」,今年上線。

三星一直在開發 SAINT-D 技術,看來今年會進入黃金期。三星新 3D 封裝是在處理器上垂直堆疊 HBM 晶片,與透過矽中介層水平連接 HBM 晶片和 GPU 的 2.5D 技術(I-CUBE)不同。垂直堆疊不需矽中介層,但製程更複雜,能製造新 HBM 記憶體基礎晶片(base die)。
3D 封裝能使數據傳輸更快、訊號更清晰、功耗及延遲性降低,但成本也更高。三星計劃以 Turnkey 服務提供先進 3D HBM 封裝,由記憶體業務部門生產 HBM 晶片,代工部門為無晶圓廠組裝實際處理器。

不過,在邏輯晶片上安裝 HBM 需適當晶片設計,目前還沒發現任何知名公司處理器可在上面安裝HBM。此技術將於今年至 2025 上半年推出。
展望未來,三星目標是到 2027 年推出一體化異質整合技術,實現兩層邏輯晶片、HBM 記憶體(積體電路上),甚至協同封裝光學器件(CPO)整合。
- Revolutionary Samsung tech that enables stacking HBM memory on CPU or GPU arrives this year — SAINT-D HBM scheduled for 2024 rollout, says report
- Samsung to launch 3D HBM chip packaging service in 2024
(首圖來源:三星)