HBM 排擠下，南亞科、華邦電受惠

AI 趨勢為記憶體用量增長最為顯著的驅動力，且 AI 伺服器對高頻寬記憶體（HBM）需求急增，輔以龍頭晶圓廠聚焦生產 HBM 及 DDR5 產品，相對將使 2025 年傳統 DRAM 產能遭排擠近 40 萬片/月，推升 DDR3、DDR4 合約價續漲，而 DRAM 市占排名居三大原廠之後的南亞科、華邦電，則有望提升產品定價能力，成為最大受惠者。

美光於上週法說會提出，2025年NAND Flash及DRAM的先進產品供應仍將吃緊，並預期HBM產能提升將會限制傳統DRAM產品生產，將以現有存貨支撐後市銷售，進行最佳化成本效益，市場推測其計畫將傳統DRAM產能升級為HBM，以達成2025年HBM市占率達25%的目標。

三星及SK海力士也都積極擴充HBM產能，但在初期良率較低的情況下，可預見2025~2026年整體產能增加幅度仍有限，而為了爭取到HBM高毛利產品訂單，勢必投入相應資本，反之也無力增加傳統記憶體的產能；當DDR4等傳統DRAM需求回升，訂單自然會由台廠接手。

不過，值得注意的是，中國業者長鑫存儲也積極擴大產能，2024年第一季已在北京開設新產線，預計第四季月產能將達到20萬片的規模，較年初成長40%以上，並規劃2025年底增加到30萬片，不過法人預估，受三大原廠HBM擴產排擠，傳統DRAM減少之月產能近40萬片，單一業者的擴產並無法彌補。

南亞科及華邦電在DRAM的市占率分別為1.6%、0.8%，排名在第四、第五名；在定價能力進一步提升下，預期2024年後市營收將逐季成長，同時獲利表現上也可望加速迎來復甦。

以南亞科而言，其主要業務以利基型DRAM為主，產品組合中DDR3占42.5%、DDR4占42.5%、LPDDR占15%；產品應用以消費性占70%、手機（LPDDR）占15%、伺服器與其他占15%。

展望其後市營運，雖然第二季受403大地震影響，晶圓損失及停產導致第二季獲利表現上還是有些壓力，不過法人認為，南亞科6月在業外收入、利息、轉投資收入挹注下，單月損益可望轉盈，而本業上，第三季將有較大機會產生盈餘。

製程上，南亞科2024年將主攻第二代10奈米級製程技術（1B），其中8Gb DDR4以及16Gb DDR5產品已導入生產，年底也將試產1C製程，公司強調每前進一代，約可使單片產能效率提升30%，有助成本結構改善。

而華邦電營收占比上，DRAM占19%，其餘占比分別為邏輯IC 47%、NOR Flash 27%、NAND Flash 6%。

除了受惠於主要產品之一的DDR3可望延續漲勢至年底外，華邦電亦開發AI邊緣端應用之高頻寬CUBE記憶體，可望在2024年底小量出貨；也有以Hybrid bond封裝整合系統單晶片與自家生產的客製化AI DRAM，欲搶占先進封裝商機；在上述動能齊發下，可望助力下半年轉虧為盈。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）