鎧俠:搶先 2027 年生產千層 NAND Flash,業界質疑

作者 | 發布日期 2024 年 07 月 09 日 15:35 | 分類 半導體 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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鎧俠:搶先 2027 年生產千層 NAND Flash,業界質疑

全球 NAND Flash 快閃記憶體製造商競賽白熱化,搶著先推出千層堆疊 NAND Flash。理論上,獲勝者有機會先推出超高容量 SSD 固態硬碟,因 SSD 遠超過 HDD 機械式硬碟最大容量 8TB,掀起換機潮。尚不清楚 NAND Flash 商何時達成目標,日本記憶體商鎧俠 (Kioxia) 先跳出來宣示,2027 年會做好產品上市準備。

東芝拆分出來的鎧俠 1987 年發明 NAND Flash,日媒報導,最近記憶體產業活動公開計畫,2027 年做好千層 NAND Flash 上市的準備。若達成單一 NAND Flash 顆粒儲存容量會是最大容量三倍多。但是否這麼快就能做到,市場有點懷疑。

外媒 Hot Hardware 報導,記憶體龍頭三星旗艦 SSD 990 Pro 僅 176 層堆疊,SK 海力士最近有提升堆疊數計畫,2023 年展示過首款超過 300 層堆疊 NAND Flash 的 SSD,但要量產還需幾年。SK 海力士最近剛將最大堆疊層數從 176 層升至 238 層,可能最快 2025 年達 321 層,量產千層 NAND Flash 前還需再發展幾代。

為了達千層堆疊,鎧俠可能改用密度更大 NAND Flash,每顆粒有更多儲存單元。最常用 NAND Flash 類型是 TLC 架構,更高階 QLC 架構持續發展。TLC 與 QLC 最大差別在每單元儲存位元,位元越多,位元彼此距離越接近,製程就更困難,大容量 SSD 會看到更多 QLC 產品,甚至發展中 PLC 產品。實際發展方向還需觀察一段時間。

(首圖來源:科技新報攝)

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