三星傳以 4 奈米量產 HBM4，對抗 SK 海力士、台積電聯盟

市場謠傳，三星電子（Samsung Electronics Co.）準備以先進 4 奈米製程量產次世代高頻寬記憶體「HBM4」。

《韓國經濟日報》15日引述未具名消息人士報導，三星準備運用4奈米製程，量產第六代HBM4的邏輯晶粒（logic die）。邏輯晶粒位於晶粒堆疊的最底層，為HBM的核心元件。

記憶體製造商已能為HBM3E等現有產品製造邏輯晶粒，但第六代模型具備客戶要求的客製化功能，需要額外導入晶圓工序。

4奈米是三星主打製程，良率超過70%。三星也運用這項製程生產旗艦AI智慧手機「Galaxy S24」的Exynos 2400處理器。

業界人士指出，「4奈米雖比7奈米、8奈米貴很多，但晶片效能與功耗（power consumption）也優秀很多。」「目前以10奈米製程生產HBM3E的三星，計劃用4奈米奪得HBM領導地位」。

SK海力士（SK Hynix）4月宣布與台積電合作。SK海力士4月19日聲明稿表示，依據雙方台北敲定的備忘錄，將合作開發第六代HBM4晶片，2026年量產。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）

延伸閱讀：

• 台積電地位難撼動？傳三星員工士氣低落想跳槽
• 台積電拿下 SK 海力士 HBM4 先進製程與封裝大單，聯盟成形