ASML 第二台 High-NA 設備,即將導入英特爾奧勒岡廠

作者 | 發布日期 2024 年 08 月 06 日 10:11 | 分類 半導體 , 材料、設備 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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ASML 第二台 High-NA 設備,即將導入英特爾奧勒岡廠

英特爾正接收 ASML 第二台耗資 3.5 億歐元(約 3.83 億美元)的新 High NA EUV 設備。根據英特爾 8/1 財報電話會議紀錄,執行長 Pat Gelsinger 表示,英特爾 12 月開始接收第一台大型設備,安裝時間需要數月,預計可帶來新一代更強大的電腦晶片。

Gelsinger 在電話中指出,第二台 High NA 設備即將進入在奧勒岡州的廠房。

由於英特爾財報會議後股價表現不佳,因此這番話並未引起注意。

ASML 高階主管 7 月曾表示,該公司已開始出貨第二台 High NA 設備給一位未具名客戶,今年只記錄第一台的收入。不過,客戶何時採用仍存在一些疑問。

ASML 已獲得十多台 High NA 機器的訂單,客戶包括台積電、三星、英特爾、美光及 SK 海力士。英特爾計劃 2027 年前將此技術用於量產,台積電也將於今年收到設備,但還沒透露何時投入生產。

ASML 執行長 Christophe Fouquet 於 7 月 17 日表示,DRAM 記憶體晶片製造商,這可能意指三星、SK 海力士或美光,可能 2025 或 2026 年開始使用 High NA 設備。

(首圖來源:ASML

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