SK 海力士開啟 HBM 戰場第一槍!宣布月底量產 12 層 HBM3E

作者 | 發布日期 2024 年 09 月 04 日 16:57 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
SK 海力士開啟 HBM 戰場第一槍!宣布月底量產 12 層 HBM3E


SK 海力士總裁 Kim Ju-Seon(Justin Kim)以「 釋放 AI 記憶體技術的可能性」為題,分享 SK 海力士現有記憶體產品和 HBM 相關產品。同時,他也在 Semicon Taiwan 上宣布將於本月底量產 12 層 HBM3E,開啟 HBM 關鍵戰場。

Kim Ju-Seon 指出,台灣重要性與日俱增,全世界媒體談論 AI、半導體和 ChatGPT,這是新革命,但才剛開始。其中,台灣和韓國是全世界最重視半導體的兩個國家,因此合作非常重要,除了對業務有好處,也能解決技術面臨的諸多挑戰。

Kim Ju-Seon 指出,目前在 AI 挑戰只處於第一級、未來會持續發展至第五級,屆時 AI 能透過智力和情感層面與人類交流。接著,他分享 AI 面臨的主要挑戰,即電力、冷卻和記憶體頻寬需求。

目前最大挑戰是電力短缺,預期資料中心到時所需電力是目前的兩倍,只靠可再生能源仍難以滿足需求,電力增加的同時也會帶來熱,因此需要找到更高效散熱的方式,目前 SK 海力士也努力開發能效更高、功耗更低、容量更大的 AI 記憶體,並針對不同應用推出相對應解決方案。

接著,Kim Ju-Seon 分享目前最新的 HBM3E 技術,表示是最早生產 8 層 HBM3E 的供應商,並在月底開始大規模生產 12 層 HBM3E。除了 HBM3E 外,SK 海力士也介紹在 DIMM、企業級 SSD(QLC eSSD)、LPDDR5T、LPDDR6、GDDR7 的最新產品。

談到開發技術,Kim Ju-Seon 指出,HBM4 是首款基於基礎裸晶(Base die)的產品,以 SK 海力士先進的 HBM 技術搭配台積電先進代工技術,使 HBM4 達到無與倫比的地位,之後將按照客戶需求進行量產時程。

針對全球佈局,Kim Ju-Seon 表示目前在韓國龍仁市建立新設施,2027 年新廠將進行量產,使龍仁聚落成為最大、最先進的半導體聚落之一;同時,SK 海力士也會到美國印第安納州進行投資,計畫 2028 年營運新廠,聚焦 HBM 先進封裝技術。

最後 Kim Ju-Seon 表示,SK 海力士將專注於 AI 業務,目標以 AI 為中心,以 SK 集團打造 AI 基礎架構,整合電力、軟體、玻璃基板、浸沒式冷卻技術,同時致力於成為生態系當中核心角色,與合作夥伴一同克服挑戰,在AI 時代實現目標。

(首圖來源:科技新報)

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