中國自研出 DUV 設備，可生產 8 奈米以下晶片

綜合港媒報導，中國工信部近日宣布，研發出首台國產深紫外光曝光機（DUV），可生產 8 奈米以下晶片。

據中國工信部「首台（套）重大技術裝備推廣應用指導目錄（2024年版）」的通知顯示，「氟化氬光刻機」（DUV曝光機）設備的核心技術指標是「晶圓直徑300mm，照明波長248nm，解析度≦65nm，套刻≦8nm」，這意味著該設備理論上可生產8奈米及更先進製程的晶片。

近期，美國和荷蘭相繼收緊半導體製造設備的出口管制措施，包括對ASML部分中階DUV設備的限制，中國國產DUV曝光機的研發進展受到關注。外媒引述專家指出，儘管與全球領先的荷蘭ASML公司的設備相比還存在一定差距，但中國自主研發的DUV曝光機，填補了中國國內半導體設備製造的一項重要空白。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）