傳業界考慮減產 3D NAND,改擴充 HBM 產能

作者 | 發布日期 2024 年 10 月 11 日 9:01 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
傳業界考慮減產 3D NAND,改擴充 HBM 產能


市場消息指出,由於 IT 業需求不如預期,3D NAND 記憶體價格下跌,主要快閃記憶體製造商考慮調整產量,減少非揮發性記憶體的投資;另由於人工智慧產業對 HBM 記憶體需求創新高,他們可能增加 DRAM 生產投資。

目前所有 3D NAND 主要製造商鎧俠(Kioxia)、美光、三星和 SK 海力士都考慮降低非揮發性記憶體產量,減少投資增建快閃記憶體容量。若是如此,可穩定 3D NAND 定價,這短期和中期在一定程度上降低 DRAM 定價。

由於 AI 需求強勁,三星和 SK 海力士等公司將焦點放在 DRAM,考慮轉換部分 NAND 生產線的可能,並專注 HBM。其中,三星可能轉換 P4 生產線,SK 海力士計畫轉換其清州 M14、M15X 和 M16 設施。

PC 需求在 2022 年下半年和 2023 年上半年下滑,PC 製造商和固態硬碟供應商的快閃記憶體庫存過多,因而停止購買。在 3D NAND 記憶體降低產能後,去年產能利用率降至 20%~ 30%,不過隨著 PC 需求成長,非揮發性記憶體需求增加,3D NAND 製造商產能利用率今年初回升至 80%~90%。

目前需求持續低迷,尤其是標準 3D NAND 產品,各家公司必須逐步調整產量。高容量 NAND 裝置屬於例外,因為 AI 和其他資料中心需要高容量 SSD,這些裝置仍有持續的需求。

IT 業者原預期換機潮帶動下,2024 年下半年 PC 和行動裝置的銷量提升,但受經濟不景氣影響,銷售反彈預期延後到 2025 年下半年,因此製造商重新評估生產策略,延長庫存管理並考慮積極減產。

(首圖來源:科技新報)

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