Denso、富士電機增產 SiC 功率半導體,獲補助三分之一

作者 | 發布日期 2024 年 11 月 29 日 13:00 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 line share Linkedin share follow us in feedly line share
Denso、富士電機增產 SiC 功率半導體,獲補助三分之一

日本汽車零組件大廠 Denso 和半導體大廠富士電機(Fuji Electric)將攜手投資約 2,100 億日圓、增產碳化矽(SiC)功率半導體,而日本政府最高將補助三分之一費用。

Denso、富士電機29日發布聯合新聞稿宣布,將在功率半導體領域合作,兩家公司將投資2,116億日圓、在日本國內增產SiC功率半導體。Denso將投資旗下生產SiC晶圓的大安製作所和生產SiC磊晶晶圓(Epitaxial Wafer)的幸田製作所,富士電機將投資生產SiC磊晶晶圓和SiC功率半導體的松本工廠。

據日媒指出,雙方目標在2027年5月以後,確保年產31萬片產能。

新聞稿指出,日本經濟產業省最高將對上述投資計畫補助705億日圓。日本政府的補助額相當於Denso、富士電機投資計畫的三分之一。

(本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載;首圖來源:shutterstock)

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