做為全球記憶體產業的領導者，三星長久以來穩坐記憶體市場的霸主王位。然而，隨著技術競爭加劇與新勢力的崛起，這家韓國科技巨頭的寶座似乎開始不穩。
2025 年，三星是否還能穩住領先地位？答案恐怕不樂觀。
儘管從 TrendForce 的統計，三星在 2024 年第三季 DRAM 市占率仍達 41.1%，高於 SK 海力士的 34.4% 達 6.7 個百分點。但就有業內人士透露，2025 年的關鍵還是在於三星的高頻寬記憶體（HBM）對輝達的供貨進度以及 DRAM 的跌價狀況。反觀 SK 海力士今年出貨的大宗將移轉至 HBM3E 的 12 層產品，也就是單價更高、能推升更多營收的產品。「如果今年 DRAM 價格跌幅擴大，那三星的市占率將有相當大的機會被 SK 海力士超越」，業內人士這麼說。
▲ 三星 2024 年第三季依舊是 DRAM 龍頭。（Source：Datatrack）
一代記憶體霸主，為什麼會扮演 AI 領域關鍵技術的 HBM 上跌這麼大一跤，是過去整整一年業界熱議的話題。CNBC 就曾在 2024 年底報導過晨星（Morningstar）股票研究主管 Kazunori Ito 的看法。他指出，HBM 在過去很長一段時間，是一種相當小眾的產品。再加上 HBM 因其堆疊的特性，涉及的技術難度高、開發成本高昂，且在 AI 晶片市場崛起之前，HBM 市場規模有限，也因此三星過去並未將資源集中在 HBM 的開發上。
反之，過往苦苦追趕的記憶體二哥 SK 海力士則積極於 HBM 產品的開發，並率先在輝達紅遍半邊天的 AI 晶片中被採用，自 2023 年一路以來都維持其最大 HBM 供應商的角色。
三星 2024 年在 HBM 認證之路上的顛簸，也讓外界確認了往日的記憶體龍頭這下真的陷入麻煩。
一般來說，記憶體公司的研發人員多半分為兩組，兩組負責研發兩種不同世代的產品，當一組研發完新製程，而新製程順利投入量產後，此組就會接續另一組的下一代製程繼續開發。
然而，2024 年三星 DRAM 1a 與 1b 製程卻同時出現問題，採用1a 的 HBM3E 8 層堆疊產品在進行與輝達的認證時遲遲無法通過，問題出在 1a 的設計。在 1a 設計出問題情況下，1b 傳出因當時並未考量到 HBM 的採用，因此製程不適用於 HBM 產品線。三星此時面對的是 1a 與 1b 團隊同時陷入困境。
陷入這樣的泥沼衝擊的不僅僅是營收，更嚴重的是對團隊士氣的打擊。在 HBM 市場風生水起的 SK 海力士成為了三星工程師跳槽的最佳選擇。
韓國媒體《The Elec》就曾報導，SK 海力士在 2024 年下半年發布徵才訊息，目標招募 3 位具備相關經驗的蝕刻工程師，卻吸引了約 200 名三星工程師前往投遞履歷。也有國內記憶體大老就曾透露，SK 海力士的團隊幾乎都是三星過去的。事實上，不僅是跳槽是最大競爭對手 SK 海力士，據悉也有不少三星工程師投奔中國記憶體公司。
中國記憶體廠崛起：DDR5 新戰場的變局
而中國，正是三星要面對的另一大壓力來源，除了美中科技戰對於三星在中國佈局的影響外，中國 DRAM 廠商新希望──長鑫存儲更是讓三星備感壓力。而長江存儲也悄悄地持續擴張在中國 NAND 市場占有率，凸顯三星同時在 DRAM 與 NAND 中國市場受到夾擊。
儘管長鑫存儲在 HBM 的發展仍遠落後於三星，目前仍在 HBM2 的客戶送樣階段，但它在 DDR5 的快速發展不容忽視。據了解，由於中國政府 2024 年對廠商祭出補貼政策，鼓勵廠商採用中國自製零組件，也因此吸引不少筆電大廠指定採用，不只是 Lenovo，甚至有傳言包括 Dell、HP 在中國銷售筆電機種都會採用長鑫存儲的 DDR5 產品。「在這種情況下，長鑫存儲根本不需要殺價，就能爭取到市場！」一名不願具名的業內人士挑明著說，不難看出三星在中國市場銷售面臨的巨大競爭。
▲ 中國長鑫存儲（綠線）積極擴張產能有成。（Source：Datatrack）
而三星在中國遭受的壓力還不僅是在 DRAM 領域，它在 NAND 市場的市占率同樣遭到中國廠商的擠壓。儘管長江存儲因為被美國列入實體清單，取得高階設備困難，但它在中國和全球市占的推進卻並未停歇。
據了解，長江存儲不僅持續供貨中國智慧型手機品牌，也持續與國際 PC 品牌廠合作，加上中國政府自主化與補貼政策的併行，長江存儲在中國的市占率 2025 年將落在三成左右。業界也預估，長江存儲在中國的市占率將在未來幾年持續擴增至四成，對於向來在 NAND 領域遙遙領先的三星來說，無疑將承受最大的壓力。
如果觀察三星和 SK 海力士來自中國的營收比重，兩大廠近年來來自中國的營收都有明顯滑落趨勢。SK 海力士 2019 年來自中國的營收比重高達 46.6%，2024 年前三季此比重已經下滑至 27.5%；三星在 2019 年來自中國營收比重則為 16.5%，到了 2024 年前三季此比重下滑至 10.8%。
如今隨著長鑫存儲在 DRAM 領域急起直追，再加上中國政府鐵了心要拚自給自足，面對內憂外患，三星顯然不能坐以待斃。
三星自知當前對急迫的便是能在 HBM 領域急起直追，唯有真正搭上 AI 浪潮的車，才能穩固其龍頭地位。因而，三星正積極進行 HBM 的重新設計，並且傳出預計在 HBM4 搶先導入比對手 SK 海力士與美光更先進的製程──1c 製程。企圖透過採用更先進的製程，重新奪回市場主導權。
此外，三星內部也開始對於企業內部文化是否出了問題進行調查。根據朝鮮日報的報導，三星副會長全英賢在 2023 年 5 月的人事變動中被任命為半導體部門的負責人後，便開始致力於改變鬆散的組織文化，企圖透過加強內部紀律，恢復過往技術領先的地位。
不過，遭受內外夾擊又被時間追趕的三星，內部文化的革新速度與技術開進度將是它能否在 2025 年扭轉劣勢的關鍵，而業界也都在等著答案。
（首圖來源：三星）
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