應材展示最新晶片檢測設備,適用 2 奈米以下先進晶片、高密度 DRAM

作者 | 發布日期 2025 年 02 月 21 日 16:52 | 分類 半導體 , 晶片 , 材料、設備 line share Linkedin share follow us in feedly line share
應材展示最新晶片檢測設備,適用 2 奈米以下先進晶片、高密度 DRAM

應用材料(Applied Materials)於週四(20 日)展示最新檢測設備 SEMVision H20。該設備配備該公司第二代冷融合輻射(CFE)技術,相較熱融合輻射(TFE)設備,能提供快三倍的分析速度。

應用材料總監 Mansoo Jang 在 Semicon Korea 的記者會上表示,第二代 CFE 速度也比 2022 年發表的第一代快兩倍。與 TFE 相比,CFE 使用更多電子來形成更窄的光束,使光束能深入晶片內部並檢查最底層的表面。

Jang 指出,這類技術對於 2 奈米以下的先進製程邏輯晶片、高密度 DRAM 以及 3D NAND 至關重要。

不過,在檢測與晶片缺陷檢查方面,現有的光學技術仍可以解決部分問題。Jang 指出,隨著晶片製造商採用更先進的製程,eBeam 的應用領域也不斷擴大。此外,深度學習 AI 演算法的應用也使速度提升三倍。

Jang 認為,該設備不僅能提供速度,還能分析趨勢,找出真正的缺陷,最終有助於提高晶片製造商的良率。這款設備是在去年推出,目前已被全球晶片製造商採用,另外也可用於前段的所有製程。

(首圖來源:應材

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